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Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto
Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

ELECTRÓNICA I
3º ano - Ramo APEL

Capítulo 5

TRANSÍSTORES DE EFEITO DE CAMPO

Este texto é oferecido aos alunos para o policopiarem livremente e destina-se a complementar o livro de texto recomendado, "Microelectronic Circuits", de Sedra and Smith.
Consiste, essencialmente, numa tradução do capítulo homónimo desse livro, com algumas alterações da responsabilidade do autor visando uma melhor adequação ao programa da disciplina. Beneficiou também de sugestões do
Prof. Pedro Guedes de Oliveira.

Franclim F. Ferreira

Janeiro 1999

Electrónica II

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Cap. 5 - Transístores de efeito de campo

Capítulo 5

TRANSÍSTORES DE EFEITO DE CAMPO
1. Introdução
Neste capítulo vamos estudar o outro tipo principal de transístor, o transístor de efeito de campo (FET). À semelhança dos transístores bipolares, a tensão entre dois terminais do FET controla a corrente no terceiro terminal. Analogamente, o FET pode ser usado, quer como amplificador, quer como interruptor.
O nome do transístor de efeito de campo deriva da essência do seu princípio de funcionamento. De facto, mostraremos que o mecanismo de controlo da corrente é baseado num campo eléctrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controlo. Também veremos que a corrente é conduzida por um único tipo de portadores (electrões ou lacunas) dependendo do tipo de FET (canal n ou canal p), o que confere um outro nome ao FET, o de transístor unipolar.
Apesar de o conceito básico dos FETs ser conhecido desde os anos trinta, o dispositivo só se tornou uma realidade prática nos anos sessenta. Entretanto, a partir dos anos setenta, um tipo particular de FET, o transístor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET), tornou-se extremamente popular.
Comparados com os BJT, os transístores MOS podem ser fabricados muito mais pequenos (i.e., ocupando uma área de silício