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ESTUDO APLICADO SOBRE TRANSISTORES TIPO MOSFET, SCR E IGBT RODRIGO BRANDÃO ALBANO, LEANDRO MENCK Universidade do Norte do Paraná ­ UNOPAR Programa de Graduação em Engenharia Elétrica R. Tietê, 1208 – Londrina/PR, Brasil ­ CEP 86025­230 E­mails: rodrigoalbano91@gmail.com,leandrotriel@hotmail.com Abstract ⎯ A bipolar junction transistor (BJT) is a NPN or PNP current control device in which currents are involved electrons and holes. It operates as voltage­controlled device with the electron current in the N channel or the current gaps in channel P. This work aims to study transistors, specifically transistors type MOSFET, SCR and IGBT, its workings and applications. Keywords ⎯ Operation, IGBT, MOSFET, SCR, transistor. Resumo ⎯ Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas correntes de elétrons e lacunas. Ele opera como dispositivo de tensão controlada com a corrente de elétrons no canal N ou a corrente de lacunas no canal P. Este trabalho tem como objetivo o estudo de transistores, especificamente os transistores do tipo MOSFET, SCR e IGBT, seus funcionamentos e aplicações. Palavras­chave ⎯ Funcionamento, IGBT, Mosfet, SCR, transistor. 1 Introdução Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas…

Introdução Esse trabalho trata sobre transistores de efeito de campo (Field effect transistor - FET, do inglês), especificamente sobre os do tipo metal-oxido-semicondutor-MOS onde há ligação das siglas inglesa, e conhecida por MOSFET. O trabalho começa com uma descrição comparativa detalhada da construção física e das características do MOSFET, comparando seus dois tipos: de enriquecimento e de depleção. Em seguida apresenta circuitos que se utilizam de Mofes e discute suas aplicações…

INTRODUÇÃO Neste trabalho iremos estudar sobre os sobre os transistores de efeito de campo, suas funcionalidades e funcionamento. Falaremos sobre o JFET, um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica e sobre o MOSFET, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Veremos seus efeitos e…

Trabalho de Eletrônica de Potência Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) Aplicação: -Rádios para automóveis; -Aparelhos de áudio residenciais; -Módulos, computadores; -Caixas amplificadas; -Entre outros aparelhos eletrônicos. É o transistor mais comum emtre os transistores de efeito de campo em circuitos analógicos e digitais.É utilizado em conversores de baixa potência e alta frequência.…

40331 – Laboratórios de Eletrónica Guia de Trabalhos Práticos Trabalho n.º 7 – Transístor de Efeito de Campo Objetivos • Conhecer o princípio de funcionamento do um FET e os seus principais parâmetros de caracterização (Vt e RDS,on) • Saber utilizar o FET como um interruptor controlado por tensão Enquadramento Este trabalho aborda o mais importante componente semicondutor: o transístor. Na sua forma mais geral, um transístor pode ser visto como um dispositivo…

SUMÁRIO INTRODUÇÃO 2 SEMICONDUTOR IGBT E TRANSITOR MOSFET 3 1. CONCEITOS 3 2. SIMBOLOGIA DO IGBT E MOSFET 4 3. ONDE SE APLICA O IGBT E O MOSFET 4 4. PESQUISAS BIBLIOGRÁFICAS 5 CONCLUSÃO 8 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 9 INTRODUÇÃO Desde a invenção do primeiro transistor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Até 1970, os transistores convencionais foram exclusivamente…

I. INTRODUÇÃO O Transistor de potência é um transistor que trabalha com a maior quantidade de energia de um circuito. São, geralmente, transistores de saída e transistores chaveadores, pois os mesmos consomem a maior parte da energia de um circuito. Nesse trabalho serão vistos os tipos de Transistores de Potência. II. DESENVOLVIMENTO II.I SCR SCR (do inglês Silicon Controlled Rectifier - Retificador Controlado de Silício) é um componente…

SANTOS PROJETO DE UM CONVERSOR BUCK-BOOST Estudo realizado no componente curricular de Eletrônica de Potência II como requisito parcial na obtenção do grau de bacharel em Engenharia Elétrica, pela Universidade Regional do Estado do Rio Grande do Sul - UNIJUÍ. Orientador: Mateus Felzke Schonardie IJUÍ 2010 RESUMO Neste trabalho é apresentado o projeto de um conversor Buck-Boost, juntamente com o projeto do drive que irá realizar…

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO AMAZONAS. CURSO TÉCNICO INTEGRADO AO MEDIO EM ELETRÔNICA NICOLAS FERNANDES DE LIMA ADAPTAÇÃO DE ENERGIA ATRAVÉS DE CONVERSOR BOOST MANAUS 2014 INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO AMAZONAS. CURSO TÉCNICO INTEGRADO AO MEDIO EM ELETRÔNICA NICOLAS FERNANDES DE LIMA ADAPTAÇÃO DE ENERGIA ATRAVÉS DE…

TRABALHO TRANSISTOR MOSFET ALUNO: ROBERTO VALÉRIO N° 20 (3 ELETROELETRÔNICA) O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925. A palavra "metal" no nome é um anacronismo vindo dos…