Mosfet tudo que achei

Introdução
Esse trabalho trata sobre transistores de efeito de campo (Field effect transistor - FET, do inglês), especificamente sobre os do tipo metal-oxido-semicondutor-MOS onde há ligação das siglas inglesa, e conhecida por MOSFET.
O trabalho começa com uma descrição comparativa detalhada da construção física e das características do MOSFET, comparando seus dois tipos: de enriquecimento e de depleção. Em seguida apresenta circuitos que se utilizam de Mofes e discute suas aplicações como amplificador. Finalmente, aborda as aplicações básicas em Circuitos integrados.
A aplicabilidade atual dos MOSFETs e muito grande, já que podem ser fabricados em tamanhos diminutos, integrando pastilhas de circuitos Integrados. Como no TJB (Transistor Bipolar de Junção) o MOSFET controla a corrente entre dois terminais variando a tensão em um terceiro terminal. No caso do MOSFET isso e feito através da variação de um campo elétrico, propriedade que origina seu nome.
2 Estudo Comparado: MOSFET tipo Enriquecimento e tipo Depleção
2.1 Estrutura
Em estrutura física, ambos os tipos de MOSFET são muito semelhantes: substrato formado por substancia do tipo 1 (que pode ser “n” ou “p”), com fendas simétricas preenchidas por substancia do tipo 2 (complementar ao substrato) fortemente dopada (n+ ou p+). Acima da região do canal (espaço entre as duas fendas preenchidas) deposita-se uma camada de material isolante (SiO2), e sobre ela, metal para o contato. Metal também e depositado sobre as duas fossas e a face inferior do substrato.
Os quatro terminais do MOSFET são denominados: Fonte (Source), Dreno (Drain), Porta (Gate) e Corpo (Body).
O tipo do substrato define o tipo do MOSFET. Se o substrato e do tipo P, temos um PMOS (MOSFET tipo P), caso tipo N, temos um NMOS (MOSFET tipo N). Na Figura 1 podemos observar a estrutura de um MOSFET tipo “n” (NMOS) de enriquecimento, com sua camada “n” induzida. No caso do MOSFET tipo “n” de depleção, teríamos como única diferença que o canal teria sido