Mosfets

Eletrônica Analógica MOSFET Professor Henrique Braga Thales Ribeiro 201069039A Pedro Brick 201069047A Introdução Neste trabalho faremos uma breve introdução ao circuito MOSFET tipo N e sobre sua aplicação como amplificador e sobre sua polarização empregando uma fonte de corrente. O MOSFET, MOS-FET, ou MOS FET é um transistor usado para amplificar ou chaveamento de sinais eletrônicos. Embora o MOSFET é um dispositivo de quatro terminais, com fonte…

capítulos com intuito de uma melhor visualização dos assuntos trabalhados, conforme podemos ver a seguir: Capítulo 01 - INTRODUÇÃO Capítulo 02 – TRAC Capítulo 03 – DIAC Capítulo 04 – FET Capítulo 05 – SCR Capítulo 06 – TRANSISTOR Capítulo 07 – MOSFET Capítulo 08 – IGBT Capítulo 09 – DIODO DE POTÊNCIA Capítulo 10 – GTO Capítulo 11 – IGCT Capítulo 12 – MCT Capítulo 13 – CONCLUSÃO Capitulo 14 - BIBLIOGRAFIAS 2. TRIAC Se analisarmos o que…

dispositivos para Eletrônica de Potência  Diodos  Transistores  Tiristores Aplicações DEE 2/80 1. Dispositivos Semicondutores DEE 3/80 Principais Dispositivos Semicondutores  Diodo de Potência:  Transistor Bipolar de Potência:  MOSFET de Potência:  Tiristor (SCR):  TRIAC:  GTO (Gate Turn Off Thyristor):  IGBT: (Insulated Gate Bipolar Transistor)  MCT (MOS controlled Thyristor) DEE 4/80 Principais Dispositivos Semicondutores  Os dispositivos…

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor) é um semicondutor e possui características de chaveamento como os transistores bipolares e alta impedância como os MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente, destacando-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Podendo ser analisado também como um MOSFET acionando um transistor bipolar. Fotografia de um IGBT. Fig1

características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Possui características de transistor MosFet na entrada e de transistor Bipolar na saída. ASPECTOS CONSTRUTIVOS: Sua estrutura é muito semelhante àquela apresentada por um transistor MOSFET. No caso do IGBT, teremos uma dupla difusão de uma região do tipo P e…

comutação são as principais limitações do um SCR. O tiristor de desligamento pela porta (GTO) foi proposto como uma alternativa para SCR. No entanto, a necessidade de aplicação de uma maior corrente na porta para o desligar limitou a sua aplicação. O MOSFET tem algumas vantagens como a alta impedância de entrada, facilidade de controle, e velocidades de comutação mais elevadas mas, a baixa densidade de corrente e maior queda por condução limitam a aplicação do dispositivo para baixas…

Colégio de Aplicação Emmanuel Leontisinis Eletrônica Industrial Juan Victor Paz A. S. Loureiro FET e MOSFET Campo Grande;23 de maio de 2013 Juan Victor Paz A. S. Loureiro FET e MOSFET Trabalho apresentado ao(à) Professor(a) Kátia Medeiros. Disciplina: Eletrônica Industrial. Campo Grande; 23 de maio de 2013 Aplicação do FET Vimos que a curva característica de um FET apresenta uma região…

subseção irá apresentar as expressões que regem as grandezas elétricas que são pertinentes ao dimensionamento e seleção dos dispositivos semicondutores, ou seja, do diodo e do MOSFET. 2.5.1 Diodo Corrente Eficaz: \* MERGEFORMAT (.) Corrente média: \* MERGEFORMAT (.) Tensão máxima: (2.5) 2.5.2 Interruptor MOSFET: Corrente eficaz: (2.6) Corrente média: (2.7) Tensão máxima: (2.8) 3 Projeto dos Elementos de Potência 3.1 Introdução Este capítulo apresenta o…

que o transistor se polarize em corte. BJTs estão disponíveis com potências de até 1200V e 400A. Comumente usado em conversores operando até 10 kHz. Tem sido cada vez mais substitúídos por MOSFETs e IGBTs. SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA – Mosfet Mosfet - Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor O Mosfet (Transistor de Efeito de Campo), cujo símbolo e curva característica são mostrados na figura abaixo, é comandado por tensão aplicada entre os terminais Gate (G) e Fonte (S). Este…

principalmente, no campo da eletrônica digital, sendo célula básica de uma série de dispositivos, normalmente agrupados dentro de circuitos integrados resistores fixos. Estes três tipos de transistores : bipolar tipo NPN, o bipolar tipo PNP e MOSFET de potência canal N (tipo de enriquecimento ou enhanced) podem funcionar como chave, em todos eles, a corrente flui entre dois dos três terminais do transístor(coletor e emissor), controlada pelo sinal elétrico existente no…