eletrônica

Colégio de Aplicação Emmanuel Leontisinis
Eletrônica Industrial

Juan Victor Paz A. S. Loureiro

FET e MOSFET

Campo Grande;23 de maio de 2013
Juan Victor Paz A. S. Loureiro

FET e MOSFET

Trabalho apresentado ao(à)
Professor(a) Kátia Medeiros.
Disciplina: Eletrônica Industrial.

Campo Grande; 23 de maio de 2013
Aplicação do FET

Vimos que a curva característica de um FET apresenta uma região de operação do dispositivo, onde a corrente está saturada. A corrente IDS no plato é função de IDSS, VGS e de VP., como pode ser visto na expressão abaixo:

esta expressão é a função de transferência, a qual relaciona a corrente entre o dreno e a fonte(IDS) com a tensão entre o dreno e o controle da porta (VGS). Os parâmetros da função de transferência do FET serão obtidos na montagem abaixo, onde é aplicada uma tensão constante sobre o FET, na região de operação linear do mesmo. De posse destes valores, os mesmos serão utilizados em um cálculo para um fonte de corrente auto-controlada utilizando um FET.

MOSFET
Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas correntes de elétrons e lacunas. O transistor de efeito de campo (TEC) é unipolar. Ele opera como dispositivo de tensão controlada com a corrente de elétrons no canal N ou a corrente de lacunas no canal P.
Os dispositivos TBJ ou TEC podem ser usados em um circuito amplificador (ou outros circuitos semelhantes, desde que sejam adequadamente polarizados).
Existem dois tipos: o transistor de efeito de campo de junção
(abreviadamente TECJ ou JFET – Junction Field Effect Transistor) e o transistor de efeito de campo de porta isolada (IGFET – Insulated Gate Field Effect Transistor), mais comumente chamado transistor metal-óxido-semicondutor (TECMOS ou
MOSFET – Metal-Oxide Semiconductor Field Effect