Igbt Scr

controladas: estado ON e OFF dependendo do circuito de potência. Ex.: diodos. - Chaves semi-controladas: estado ON controlado por um sinal externo e OFF dependendo do circuito de potência. Ex.: SCR, TRIAC. - Chaves Controladas – os estados ON e OFF são controlados por sinal externo. Ex.: Transistor (BJT), MOSFET, IGBT, GTO. Utilizados na Eletrônica de Potência: Diodos de Potência Um diodo semicondutor é uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tensão e de corrente,…

(TJB) ............................................................... 5 2.3. Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) ......... 6 2.4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) ................................................... 7 2.5. Retificador controlado de silício (SCR) ........................................................ 8 2.6. TRIAC .......................................................................................................... 13…

Unianhanguera. Disponível em: http://www.unianhanguera.edu.br/anhanguera/bibliotecas/normas_bibliograficas/index.html ETAPA 1 (tempo para realização: 4 horas) Aula-tema: Dispositivos semicondutores de potência; Diodos de potência; Tiristores (SCR, DIAC, TRIAC e GTO) Esta atividade é importante para que você conheça e compreenda as principais características e aplicabilidade do diodo de potência, componente básico para a construção de dispositivos semicondutores de potência e…

Bipolar de Potência Transistor em Circuito de Potência Perdas no Chaveamento Configuração Darlington Tiristor SCR – Silicon Controlled Rectifier LASCR – Light Activeted SCR DIAC – Diode Alternative Current SCS - Silicon Controlled Switch TRIAC – Triode Alternating Current Circuitos com Tiristores GTO – Gate Turn-Off Tiristor Componentes de Nova Tecnologia MCT – MOS Controlled Tiristor IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor Conversor CA/CC – Retificador Retificador Monofásico de Meia…

................................................................ 14 7 - Tiristor .................................................................................................................................................... 17 7.1 - Tiristor SCR .................................................................................................................................... 18 7.2 - Tiristor TRIAC ...........................................................................................

Estáticos de Potência Professor: Igor Amariz Pires Aluno: Glauton Eduardo Vieira Data: 10/02/2014 Um Breve Estudo Sobre Diodo de Potência, TIRISTOR, MOSFET e IGBT. RESUMO Este texto apresenta um breve estudo sobre alguns dos principais componentes utilizados em circuitos de Eletrônica de Potência: Diodo de Potência, TIRISTOR, MOSFET e IGBT. Seu objetivo é introduzir conceitos fundamentais necessários à disciplina “ELT 066 – Controle de Conversores Estáticos de Potência”…

de efeito de campo, a corrente de dreno é função da tensão de comporta igbt Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à alta impedância de entrada dos transistores de efeito de campo, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada. Veja neste artigo o que é o IGBT e quais são suas características principais. Os transistores bipolares de potência

page. 2) Rectifier Section Its function is to change 3-phase AC into DC. 2. Rectifier The 3-phase AC voltage goes into the rectifier section of the AFD. In the rectifier section there is a group of gated diodes (silicon rectifiers or SCRs). In the vast majority of AFDs, these diodes are in a group of 6 as diagramed above. One AFD manufacturer has stressed that there should be more sets of diodes, 12, 18, even 24. The reasons for and against this are covered in another…

proporcionando assim, o disparo do componente de potência.Em alguns casos, a retirada do sinal de disparo, provoca a comutação do componente (transistores); em outros casos, há a necessidade de circuitos auxiliares de comutação forçada, para que o componente (SCR) possa comutar. Como estes circuitos de disparo apresentam um nível de potência baixo, se comparado com o nível de potência do circuito principal, deve-se utilizar elementos que proporcionem um isolamento elétrico entre estes…

....... 23 Figura 4 - Estrutura e símbolo do transístor NPN...................................................... 25 Figura 5 - O IGBT ...................................................................................................... 27 Figura 6 - Curva característica do IGBT .................................................................... 28 Figura 7 - O SCR: Estrutura PNPN e símbolo ........................................................... 29 Figura 8 - Corte transversal…