Transistor d eefeito de campo

FET
(FIELD EFFECT TRANSISTOR)

OBJETIVOS: a) entender o funcionamento de um transistor unipolar; b) analisar e entender as curvas características de um transistor unipolar; c) analisar o funcionamento de um transistor unipolar, através de circuitos de polarização básicos.

INTRODUÇÃO TEÓRICA

O FET (Field Effect Transistor) que traduzindo para o português significa Transistor de Efeito de Campo (TEC), é um transistor unipolar.

Nos transistores bipolares, para que haja controle de corrente, torna-se necessário envolver correntes de elétrons e lacunas. Nos transistores unipolares para que haja controle de corrente estão envolvidas correntes de elétrons quando o mesmo é do tipo canal n ou estão envolvidas correntes de lacunas quando o mesmo é do tipo canal p.

Os FETs possuem algumas vantagens com relação aos transistores bipolares como: impedância de entrada elevadíssima; relativamente imune à radiação; produz menos ruído e possui melhor estabilidade térmica. No entanto, apresentam algumas desvantagens como: banda de ganho relativamente pequena e maior risco de dano quando manuseado.

A exemplo do transistor bipolar, o FET é um dispositivo de três terminais, contendo uma junção p-n básica, podendo ser do tipo de junção (JFET) ou do tipo metal-óxido-semicondutor (MOSFET).

A figura abaixo mostra a estrutura física de em FET canal n com seus respectivos terminais:

[pic] D - (drain) ou dreno: de onde os portadores majoritários saem;

S - (source) ou fonte: é o terminal no qual os portadores majoritários entram;

G - (gate) ou porta: são regiões fortemente dopadas em ambos os lados do canal. Quando o canal é n o gate é p.

VDD é a tensão aplicada entre o dreno e a fonte;

VGG é a tensão aplicada entre o gate (porta) e a fonte;

VDS é a tensão medida entre o dreno e a fonte;

VGS é a tensão medida entre o gate (porta) e a fonte. Comparativamente a um transistor bipolar, podemos então estabelecer as equivalências entre os