Scs igbt e diac

SCS - Silicon Controlled Switch

É um tiristor semelhante ao SCR, mas com dois terminais de disparo, correspondentes às bases dos transistores da trava ideal, gatilho de anodo, Ga, e g. de catodo, Gc, permitindo disparo por pulsos negativo ou positivo, respectivamente.
Não é muito comum, sendo geralmente de baixa potência. A sigla significa chave controlada de silício (S de Switch)

Não é muito comum, sendo geralmente de baixa potência.

DIAC

Pode ser entendido como dois diodos Schokley em antiparalelo. O seu disparo ocorre quando se atinge a tensão de bloqueio em qualquer sentido, da ordem de 25 a 40 V. É usado em geral para disparar o TRIAC, em circuitos de controle de tensão CA por ângulo de disparo. Sua estrutura é PNP, e funciona como um transistor cuja base só é alimentada quando se atinge a tensão de ruptura, o que leva à saturação, caindo a tensão nos terminais para uns 0.2 V.

O Diodo de quatro camada bilateral (DIAC = DIode AC) é um dispositivo de quatro camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tensão aplicada, com qualquer polaridade, ultrapassar um determinado valor chamado de tensão de breakover( UBO), voltando a cortar quando a tensão ( corrente) cair abaixo de um valor chamado de tensão ( corrente) de manutenção , UH ( IH ).A Fig1.25 mostra a estrutura interna, o símbolo e a curva característica.

IGBT | | | |

| Este é o acrônimo para Isolated-Gate Bipolar Transistor. Trata-se de um semicondutor que é metade FET e metade bipolar. Nele, a corrente principal é conduzida entre um coletor e um emissor como num transistor bipolar, mas esta corrente é controlada por uma tensão aplicada numa comporta, como num FET. Os IGBTs reúnem as vantagens dos dois componentes e por isso podem ser usados no controle de dispositivos de potência, sendo encontrados principalmente em aplicações industriais. IGBTs são usados para controlar solenoides, motores, em fontes chaveadas e em muitas outras aplicações importantes onde o