Projeto de Circuito Integrado Digital
1. Definições gerais
1.1) Razão transcondutância-corrente normalizada (adimensional)
1.2) Tensão de Early mínima VAmin (volts)
com Leff = L - 2DL
(, DSUB, lt0 e DIBL adaptados do modelo BSIM3v3)
1.3) Tensão dreno-substrato de saturação VDBSAT (volts)
a) MOSFET canal N:
com
com
Condição de saturação: VDB > VDBSAT
a) MOSFET canal P:
com
com
Condição de saturação: VDB < VDBSAT
2. Configurações de OTA
2.1) OTA de dois estágios com compensação Miller
Ganho em baixas freqüências mínimo (adimensional): Produto ganho-largura de banda (rad/s):
“Slew rate” (V/s): ou
Potência básica (W): POT = (ID5 + ID6)(VDD – VSS)
Freqüência do segundo pólo (rad/s):
Freqüência do zero no SPLD (rad/s):
Margem de fase (graus), na hipótese de haver pólo dominante:
2.2) OTA cascode de um estágio
Ganho em baixas freqüências mínimo (adimensional):
(supondo transistores com mesmo comprimento de canal)
Produto ganho-largura de banda (rad/s):
“Slew rate” (V/s):
Potência básica (W): POT = ID5(VDD – VSS)
Freqüência do 2o pólo e do zero no SPLE (rad/s):
Freqüência do terceiro pólo (rad/s):
Margem de fase (graus), na hipótese de haver pólo dominante:
2.3) OTA simétrico
Ganho em baixas freqüências mínimo (adimensional):
Produto ganho-largura de banda (rad/s):
“Slew rate” (V/s):
Potência básica (W): POT = (1+B) ID9 (VDD – VSS)
Freqüência do 2o pólo e do zero no SPLE (rad/s):
Freqüência do terceiro pólo (rad/s):
Margem de fase (graus), na hipótese de haver pólo dominante:
2.4) OTA de dois estágios, CASCODE no diferencial, com translação de nível
Ganho em baixas freqüências mínimo (adimensional): (supondo transistores com mesmo comprimento de canal)
Produto ganho-largura de banda (rad/s):
“Slew rate”