Mosfet de Potencia

MOSFET DE POTÊNCIA

2014

1. INTRODUÇÃO AOS TRANSISTORES DE POTÊNCIA

Até 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potência em aplicações, desde então, vários tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos. Estes dispositivos podem ser amplamente divididos em cinco tipos: os diodos de potência, os tiristores, os transistores bipolares de junção de potência, os MOSFET’s de potência, os SIT’s (Static Induction Transistor) e os IGBT’s (Insulated Gate Bipolar Transistor). Os transistores de potência possuem características de entrada em condução e de corte controladas. Os transistores são muito utilizados para elementos de chaveamento, e nos transistores atuais a velocidade de chaveamento é muito maior quando comparados aos tiristores, porém, dados como corrente e tensão são menores que a dos tiristores. Possuímos quatro categorias de transistores de potência:
Transistores Bipolares de Junção (BJTs);
Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico Semicondutor (MOSFETs);
Transistor de Indução Estática (STIs);
Transistores Bipolares de Porta Isolada (IGBT).
2. MOSFET: METAL OXIDE SEMICONDUTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
O MOSFET foi idealizado por Julius Von Edgar Lilienfeld em 1930, mas devido a problemas de caráter tecnológico e o desconhecimento sobre como se comportavam os elétrons na superfície do semicondutor não se pode fabricar por um longo período.
Consiste em um transistor de efeito de campo baseado na estrutura MOS e ele é o transistor mais utilizado na indústria microeletrônica. Grande parte dos circuitos integrados comerciais estão baseados em transistores MOSFET.
TBJs e MOSFETs
O MOSFET possui normalmente 3 terminais: Porta, Fonte e Dreno (ou Gate, Source e Drain respectivamente). Há dois tipos essenciais: o canal N e o canal P, e se diferenciam basicamente pela polarização. A corrente a ser fornecida para um circuito, que circulará entre o