Memórias

Sumário

Memória RAM Pag3
Memória ROM Pag5
Bibliografia Pag6

Memória Ram
-SRAM (Memória estática de acesso aleatório) - Cache
-Mantém os dados desde que mantenha a alimentação de energia, sem precisar de atualizações em suas células.
-São mais caras, velozes e ocupam menos espaço que a memória DRAM.
-É utilizado pelos caches.
-Utilizam circuito Flip-flop. -DRAM (RAM dinâmico) – Memória principal
-Memória de acesso direto que armazena cada bit num capacitor. -Tem um custo menor em relação à SRAM e tem maior capacidade de memória, embora seja mais lenta.
* FPM RAM – memória de paginação rápida: Espera a localização do bit e o lê antes de começar o prôximo. Sua taxa de transferência máxima para o L2 é de 176 MB/s, aproximadamente.
*EDO RAM – memória de saída extendida: não espera o processo do primeiro bit para ir para o opróximo. Quando o endereço do primeiro bit é encontrado, essa memória já começa a seguinte. Aproximadamente 5% mais rápida que a FPM, transferência máxima para a L2 é de 264MB/s.
*BEDO RAM – BurstExtended data output: é uma espécia de EDO RAM, mas é capaz de enviar três cliclos de clock sem a coordenação do mesmo. Ele é funcional em microprocessadores que trabalham acima de 66 Mhz.
*SD RAM – DRAM síncrona: ela utiliza o modo burst para melhorar o desempenho, ficando na linha do bit requisitado e move-se muito rapidamente através das colunas. Mas espera-se que os dados sejam sequenciais. Aproximadamente 5% mais rápida que o EDO RAM, a taxa de transferência máxima para o L2 é de528MB/s.
*RD RAM – Rambus DRAM: Projetada pela Rambus (empresa norte americana), utiliza um módulo RIMM, similar com a DIMM. Utiliza uma barramento de alta velocidade, chamada de Canal Rambus. Esse tipo de memória gera muito calor. Esses chips conseguem atingir uma taxa de transferência de dados de 800 Mhz/s ou 1.6 Ghz/s.

*DDR – Taxa de dados dupla: como o própio nome diz, ela transfere dados tanto na subido