Laboratorio de cel

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Laboratório de Circuitos Eletrônicos – I Caracterização do Transistor Bipolar 1. Objetivos - Determinar experimentalmente as características IC x VCE e IC x VBE de um transistor bipolar NPN em montagem Emissor Comum. - Obter os valores de αf, αr, βf e βr, assim como sua dependência com IC. - Determinar, experimentalmente, os parâmetros do modelo de Ebbers-Moll para o transistor NPN BC547. 2. Equipamento Necessário - multimetro - protoboard - transistor NPN (BC 547) - resistores - cabos e conectores - papel milimetrado 3. Procedimento Experimental Através da montagem indicada na Figura 1, para RB = 100KΩ e RC = 470Ω.

RC RB BC547 VBB + + VCC

Figura 1

a) Característica IC x VBE i) Mantendo VCC = +7V, varie VBB de modo a obter IC x VBE. Repita o procedimento para VCC = +10V. ii) Levante os gráficos em escala logarítmica, verificando a lei exponencial de IC em relação a VBE, especificando os desvios. Determine, através dos dados, a corrente de saturação da junção emissor-base IE0. Comente - e justifique - a influência da tensão reversa na junção coletor-base VCB nas características obtidas.

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b) Característica IC x VCE i) Obtenha a característica IC x VCE , parametrizada em IB. Varie VBB de modo a impor correntes de base IB no intervalo 5 - 80 µA, espaçadas de 15µA. Para cada valor de IB, varie VCC de modo a obter VCE no intervalo de 0 a 7V. Para determinar VCEsat, varie VCE de 0V a 300mV, em passos de 100mV. Para atingir 7V, se necessário, diminua o valor de RC . ii) Verifique, para elevados valores de IC e VCE , possíveis efeitos de corrida térmica (thermal runaway), dando origem à instabilidade na leitura de IC. Explique esse fenômeno. iii) Indique, na característica obtida, as regiões ativa, de saturação e corte. Verifique os efeitos de modulação de base (dependência de IC com VCE na região ativa), estimando a tensão Early (VA), como indicado na Figura 2. iv) Levante a curva VCEsat x IC. v) Determine experimentalmente o valor de βf = ΙC / IB