junção pn

ELETRÔNICA: JUNÇÃO PN

SUMÁRIO

INTRODUÇÃO 3
1 DOPAGEM 4
2 JUNÇÃO PN 6
3 BANDA DE CONDUÇÃO 9
CONCLUSÃO 11
REFERÊNCIAS 12

INTRODUÇÃO

Este trabalho foi realizado com objetivo de explicar em síntese a dopagem, a junção PN e as bandas de condução. Entender o comportamento de um cristal depois de ser dopado por outras impurezas e sua importância.

1 DOPAGEM

O cristal de silício é formado por vários átomos de silício que fazem ligações constantes entre si, isto é, cada átomo vizinho cede um elétron com o átomo central. Como o silício possui quatro elétrons na última camada (camada de valência), ele faz quatro ligações covalentes, assim ficando com oito elétrons na sua órbita de valência. Desse modo ele se torna quimicamente estável. Veja figura 1.

Figura 1

Na temperatura ambiente, um cristal de silício comporta-se como isolante aproximadamente, porque ele tem apenas alguns elétrons e lacunas produzidas pela energia térmica. Para aumentar a condutibilidade de um semicondutor utilizamos a Dopagem. Que significa inserir impurezas nos átomos de um cristal intrínseco (puro). Um semicondutor dopado é chamado de semicondutor extrínseco. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos:
Impurezas doadoras: o cristal de silício puro é dopado com átomos que possuem cinco elétrons na camada de valência (átomo pentavalente). Exemplo: fósforo, arsénio e antimônio. O átomo pentavalente entra no cristal absorvendo as suas quatro ligações covalentes. O quinto elétron do átomo pentavalente fica ligado fracamente ao núcleo, que com uma pequena energia é o suficiente para torna-lo livre. Veja figura 2.

Figura

Impurezas aceitadoras: nessa situação o cristal é dopado com átomos trivalentes (com três elétrons na camada de valência). Exemplo: boro, alumínio, índio e gálio. O átomo trivalente entra no