Exercicios Sedra

Exercícios de Semicondutores S - Microelectronic Circuits, Sedra/Smith, quarta edição 1. (S3.10) Calcule a densidade intrínseca de portadores num cristal de silício às temperaturas de 250K, 300K e 350K. Solução: 2. (S3.11) Considere um cristal de silício dopado com impurezas tipo dador com . Determine a concentração de electrões e de lacunas às temperaturas de 250K, 300K e 350k: Utilize os resultados do exercício anterior. Solução: ; 3. (S3.12) Obtenha o valor da resistividade de, a. Silício intrínseco puro b. Silício dopado tipo-p com Utilize , para silício intrínseco, e para silício dopado. Solução: a) b) 4. (S3.32) Dado um semicondutor tipo-n com um perfil de impurezas representado na figura, determine o valor da corrente de difusão. Assuma . é a concentração lacunas no cristal em equilíbrio com , para 300K. Solução: 5. (S3.34) Calcule a o fluxo de corrente numa barra de Silício com um comprimento de e com uma secção transversal de área , para uma tensão aplicada de 1V com uma densidade de electrões de e de lacunas de . Solução: 6. (S3.35) Numa barra de Silício dopado com impurezas dadoras, de , determine qual deve ser a concentração de dadores de forma a obter-mos uma densidade de corrente de em resposta a um campo aplicado de 0.5V. Utilize o valor da mobilidade dos electrões para Silício puro. Solução: 7. (S3.36) Numa secção de silício dopada com impurezas dadoras (fósforo) com uma concentração de , determine a concentração de electrões livres e de lacunas nas temperaturas de 300K e 400K. Solução: 300K - 400K -