Energia
O transístor de silício e germânio foi inventado nos Laboratórios da Bell Telephone em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por Bardeen, Brattain e Shockley.
O termo provém do inglês transfer resistor, como era conhecido pelos seus inventores.
O objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as válvulas termoiônicas usadas nos sistemas telefônicos da época.
Como se compõe o transistor
O transistor bipolar é constituído por três materiais semicondutor dopado. Dois cristais tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O primeiro é chamado de transistor npn e o segundo de pnp.
Base (B):dopagem leve e muito fina. Assim, a maioria dos portadores lançados do emissor para a base, conseguem atravessá-la dirigindo-se ao coletor;
Coletor (C): mediamente dopado, coleta (recolhe) os portadores que vêm da base. Ele é muito maior que as outras camadas, pois é nele que se dissipa a maior parte da potência gerada pelos circuitos transistorizados;
Emissor (E): fortemente dopado, tem por função emitir portadores de carga para a base (e- no transistor NPN e lacunas no PNP).
Aplicação: Amplificador de corrente; Amplificador de sinal; Chave eletrônica.
Polarização
1º caso – as duas junções reversamente polarizadas
Neste caso, não há circulação de corrente, pois as duas junções estão reversamente polarizadas, deixado o dispositivo em situação de corte.
2º caso – as duas junções diretamente polarizadas
Neste caso, circula corrente pelas duas junções, estando o dispositivo em situação de saturação .
3º caso – uma junção diretamente polarizada e a outra reversamente polarizada
Neste caso, circula corrente por ambas as junções, apesar da polarização reversa, pois aqui, ocorre o fenômeno denominada de efeito transistor .
Uma característica importante de um transistor é que ele controla a corrente que circula através dele. A maior parte da corrente circula do emissor