Eletronica sequencial

CIRCUITOS DIGITAIS SEQÜENCIAIS – MEMÓRIAS

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Nº de bits no endereço Nº de endereços da memória

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EPROM

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EEPROM – memória flash. Acessada como um dispositivo de bloco(PENDRIVE)

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SRAM
– Construída com flip-flops D – Mantém seu conteúdo enquanto houver alimentação de energia – São muito rápidas: acesso em nano segundos (10-9 segundos) – Utilizadas para construir memórias cache nível 2

DRAM
– Construída a partir de matriz de células. Cada célula é composta por 1 transistor MOS e um capacitor – Necessita de ciclos de “atualização”(refresh) p/ manter dado a cada x mili-segundos – Velocidade na casa dos 60 nano segundos (mais antigas) à 5 nano segundos