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2558 palavras 11 páginas
53V

C403
2200P
MEF

R834
100

D401
1N4148

47K x 6

12
13
R221
100K

D205
1N4148

14
15

IC202
IC202
PT520C
PST520C

C214


R239
10K
1/6W

16
17
18
19
J

20

R225
1M
1/6W

CS2

TEST+

CS1

REST−

V−MOIRE

XTAL(I)

H−PHASE+

XTAL(O)

TRAPEZOID+

GND

V−SIZE

ROTATION+

PIN+

R GAIN+

V−CENTER+

G GAIN+

H−WIDTH+

CONTRAST+

BRI+

32

SW201−4

D208
1N4148

31
30

CS2
CS1

29
28
27

R247 10K

26

R246 10K

25

7

8

C409

C410
H

100µ
16V

C407
100P

R417
2.2K

C413
47µ
25V

24

C411
47µ
R428 39K 25V

SBLK

VGND

B+OUT
HOUTCOL

HOUTEM

GND

VREF

VAGCCAP
VCC

VCAP
XRAYIN

H

C415
0.1µ

R514
220K
1/2W

EK
C623
0.1µ

23

PINCUSHION

R541
1K

C625
0.1µ

D411
1N4007
D412
1N4148

C439
100P

R463
47K

C458
6.2n
1.6KV

R481 3.3K

R466
12K

R465
56K

C438
2.2µ
100V
Q405
2SD2107

14V
Q416
2SC945

L405
200µH
50V

R501
12K
1W

12V

R545
220
5W 14V

D427
BYT52M

R511
1

C489
0.1µ
MEF

O

R519
47K

R523 2.2K
D422
BYV28−200

A

Q418
IRF630
or 2SK2134

S

C487
0.1µ
MEF

C463
100µ
250V

D

G

Q420
2SA733

R520
220K

L401
200µH
D423
BYT52G

R522
100K

R518
120K

R624
4.7K 1/6W

Q421
2SC3402

R517
1K

L408
10µH

D416
FUF5406

R490
22

Q417
2SA733

C460
3.9n
800V

6.5V

D415
BY359

C459
33n
630V

Q411
2SC945

R516
6.2K

VR405
B−50K
C467
REG−ADJ
0.1µ
R527
68K
1/6W

H−WIDTH

R241 10K

21

BRIGHT−
NESS

R420
4.7K

C301
1000µ
25V

C304
100µ/25V

VDCOUT
R302
120K
1/6W

7

6

C303 R303
1µ 33K
1/6W

1

−12V

IC301
TDA8172

A

R311
10K
1/6W

2

D302
C308 1N4148
0.47µ
MEF

5
R308
3.3
1/2W

VOUT R304
5.6K

5. The chassis ground is idicated as
6. The Zener diodes are 1/2 wattages type.
7. The varied

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