Arquitetura de Computadores

1. Quais as diferenças entre EPROM, EEPROM e memória Flash?
As memórias EPROM todas as é lido e escrito eletricamente, mas antes do processo de gravação todas as células de armazenamento devem ser apagadas para o estado inicial através da exposição a radiação ultravioleta. As memórias EEPROM que pode ser gravada a qualquer hora sem apagar o conteúdo anterior.A memória Flash assim como o EEPROM usa uma tecnologia de apagamento através de pulsos de eletricidade, mas faz isso em um ou alguns segundos, e pode apagar apenas blocos de memória em vez de um chip todo, contudo não oferece apagamento a nível de bytes como é o caso do
EEPROM.

2. Para uma palavra de 8 bits 00111001, os bits de verificação armazenados com ela seriam 0111. Suponha, quando a palavra for lida da memória, que os bits de verificação são calculados como 1101. Qual a palavra de dados foi lida da memória?
Usando o Diagrama de Venn, temos:

12 11 10

0

0

9

7

6

5

4

3

2

1

1

1

8

0

1

0

0

1

1

1

1

Fazendo A = 0111 e B = 1101 teremos conforme a tabela abaixo:

A

B

XOR

0

1

1

1

0

1

1

0

1

1

1

0

Isso indica um erro no bit 10 do código de Hamming. Logo a palavra de dados lida da memória foi
00011001.

3. Que características são compartilhadas por todos os níveis de RAID?
• Todos são um conjunto de unidades de disco físico, visto como uma única unidade lógica pelo o sistema operacional. • Os dados são distribuídos entre s unidades físicas de uma matriz.
• A capacidade do disco redundante é usada para armazenar informações de paridade.

4. Considere um array RAID com 4 unidades, com 200GB por unidade. Qual é a capacidade de armazenamento de dados disponível para cada um dos níveis de RAID 0, 1, 4 e 6?
• RAID 0: 800GB
• RAID 1: 400GB
• RAID 4: 600GB
• RAID 6: 400GB

5. Defina os termos tempo de busca, atraso rotacional, tempo de acesso e tempo de