Apostila ET LINEAR II

ELETRÔNICA LINEAR II
Í N D I C E

CAPÍTULO 1 – TRANSISTORES.
1.1 - Transistor de junção bipolar.................................................................... 1-1
1.2 - Funcionamento do Transistor de junção bipolar.................................... 1-2
1.3 - Circuitos de polarização......................................................................... 1-16
1.4 - Método prático de polarização.............................................................. 1-39
1.5 - Transistor de unijunção......................................................................... 1-44
1.6 - Transistor por efeito de campo............................................................. 1-50

CAPÍTULO 1 TRANSISTORES
1.1 - TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR (TJB).
É um dispositivo semicondutor composto por três camadas de silício, dos tipos N e P, cuja dopagem e dimensões são convenientemente projetadas e combinadas como mostrado na figura abaixo.

Figura 1.1 - Estrutura física do transistor PNP e NPN.
As camadas que formam o transistor são denominadas: Emissor (E), Base (B) e Coletor (C). A estrutura do Emissor e do Coletor é fortemente dopada e têm uma área de média dimensão para o Emissor e de grande dimensão para o Coletor. A estrutura da Base é construída com fraca dopagem e tem pequena área, se comparada às anteriores. O baixo nível de dopagem da Base diminui a sua condutividade, pois limita o número de portadores livres.
O termo Bipolar empregado para denominar este dispositivo, reflete o fato de que lacunas e elétrons, ou seja, portadores de corrente majoritários e minoritários, dependendo do tipo de cristal, participam do processo de injeção no material reversamente polarizado.
Este dispositivo é representado eletricamente pelos símbolos apresentados na Figura 1.2a e 1.2b.

Figura 1.2 - Simbologia para os transistores PNP e NPN.

1.2 - FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR.