Amplificador de tensão

ENGENHARIA ELECTROTÉCNICA E DE COMPUTADORES
Ano lectivo: 2012/2013 / 2ºAno - 1º semestre
Electrónica
Professor António Sérgio Portela Fernandes Lebres

Amplificador de tensão

Figura 1 – Representação esquemática e fotografias de um díodo e de um transístor
Figura 1 – Representação esquemática e fotografias de um díodo e de um transístor

G.04
G.04
Trabalho elaborado por: Fernando Bento, nº 28786 Hélder Gonçalves, nº29340

Data:22/11/2012
Valores das tensões e correntes nos ramos
Valores experimentais com 2º andar saturado

Vcc=15V
RB1=82kΩ
RB2=22kΩ
RC1=2kΩ
RC2=3kΩ
RE1=RE2=1kΩ

VRB1=11,85V
VRC1=4,563V
VRB2=3,08V
VRE1=2,436V
VCE1=7,957V
VRE2=3,849V
VRC2=11,06V
VCE2=0,046V

IRB1=VRB1RB1⇔IRB1=11,85V82kΩ⇔IRB1=0,144mA
IRB2=VRB2RB2⇔IRB2=3,08V22kΩ⇔IRB2=0,140mA
IB1=IRB1-IRB2⇔IB1=0,144mA-0,140mA⇔IB1=4μA

IRC1=VRC1RC1⇔IRC1=4,563V2kΩ⇔IRC1=2,28mA
IRE1=VRE1RE1⇔IRE1=2,436V1kΩ⇔IRE1=2,436mA
IRC1+IB2=IB1+IRE1⇔IB2=4μA+2,436mA-2,28mA⇔IB2=0,152mA
IC2=βIB2⇔β=IC2IB2⇔β=3,68mA0,152mA⇔β≈24
* β muito inferior ao valor indicado pelo fabricante (transístor está saturado)
IRC2=VRC2RC2⇔IRC2=11,06V3kΩ⇔IRC2=3,68mA
IRE2=VRE2RE2⇔IRE2=3,849V1kΩ⇔IRC2=3,849mA

Valores experimentais com 2º andar activo

Vcc=15V
RB1=82kΩ
RB2=22kΩ
RC1=2kΩ
RE1=RE2=RC2=1kΩ

VRB1=11,81V
VRC1=4,8V
VRB2=3,07V
VRE1=2,42V
VCE1=7,65V
VRE2=4,19V
VRC2=4,17V
VCE2=6,58V

IRB1=VRB1RB1⇔IRB1=11,81V82kΩ⇔IRB1=0,144mA
IRB2=VRB2RB2⇔IRB2=3,07V22kΩ⇔IRB2=0,140mA
IB1=IRB1-IRB2⇔IB1=0,144mA-0,140mA⇔IB1=4μA

IRC1=VRC1RC1⇔IRC1=4,8V2kΩ⇔IRC1=2,4mA
IRE1=VRE1RE1⇔IRE1=2,42V1kΩ⇔IRE1=2,42mA
IRC1+IB2=IB1+IRE1⇔IB2=4μA+2,42mA-2,4mA⇔IB2=0,024mA
IC2=βIB2⇔β=IC2IB2⇔β=4,17mA0,024mA⇔β≈174
* β aumentou significativamente, sendo, no entanto, ainda inferior ao valor indicado pelo fabricante (significa que ainda não está no seu ponto quiescente)
IRC2=VRC2RC2⇔IRC2=4,17V1kΩ⇔IRC2=4,17mA
IRE2=VRE2RE2⇔IRE2=4,19V1kΩ⇔IRC2=4,19mA
Rectas de carga dos 2