artigo transistores

ESTUDO APLICADO SOBRE TRANSISTORES TIPO MOSFET, SCR E IGBT RODRIGO BRANDÃO ALBANO, LEANDRO MENCK Universidade do Norte do Paraná ­ UNOPAR Programa de Graduação em Engenharia Elétrica R. Tietê, 1208 – Londrina/PR, Brasil ­ CEP 86025­230 E­mails: rodrigoalbano91@gmail.com,leandrotriel@hotmail.com Abstract ⎯ A bipolar junction transistor (BJT) is a NPN or PNP current control device in which currents are involved electrons and holes. It operates as voltage­controlled device with the electron current in the N channel or the current gaps in channel P. This work aims to study transistors, specifically transistors type MOSFET, SCR and IGBT, its workings and applications. Keywords ⎯ Operation, IGBT, MOSFET, SCR, transistor. Resumo ⎯ Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas correntes de elétrons e lacunas. Ele opera como dispositivo de tensão controlada com a corrente de elétrons no canal N ou a corrente de lacunas no canal P. Este trabalho tem como objetivo o estudo de transistores, especificamente os transistores do tipo MOSFET, SCR e IGBT, seus funcionamentos e aplicações. Palavras­chave ⎯ Funcionamento, IGBT, Mosfet, SCR, transistor. 1 Introdução Um transistor bipolar de junção (TBJ) NPN ou PNP é um dispositivo de corrente controlada no qual estão envolvidas…

SUMÁRIO INTRODUÇÃO 2 SEMICONDUTOR IGBT E TRANSITOR MOSFET 3 1. CONCEITOS 3 2. SIMBOLOGIA DO IGBT E MOSFET 4 3. ONDE SE APLICA O IGBT E O MOSFET 4 4. PESQUISAS BIBLIOGRÁFICAS 5 CONCLUSÃO 8 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 9 INTRODUÇÃO Desde a invenção do primeiro transistor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Até 1970, os transistores convencionais foram exclusivamente…

1.1.1. IGBT: Transistores Bipolares de Porta Isolada. Até 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potência em aplicações industriais. Desde 1970, vários tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos e se tornaram disponíveis comercialmente. Entre eles encontram-se os IGBT’s (Insulated Gate Bipolar Transistor), assunto desta seção. Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à elevada…

MIGUEL MURINELI NILSON CUSTÓDIO JUNIOR ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Inversor de Freqüência Trifásico CASCAVEL 2011 FACULDADE ASSIS GURGACZ MICHEL ADUR MIGUEL MURINELI NILSON CUSTÓDIO JUNIOR ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Inversor de Freqüência Trifásico Trabalho apresentado na disciplina de Eletrônica de Potência, do curso de Engenharia de Controle e Automação, da FAG, como requisito parcial de conclusão da disciplina. Professor Orientador: Ederson Zanchet CASCAVEL 2011 RESUMO O presente…

sinais, etc;) - Eletrônica de potência (retificação de alta tensão, inversão de frequência, etc;) - Inversores de frequência - Circuitos Ressonantes (O assunto de dominio mais importante) - Física (efeito joule / ponto de curie, etc;) Coisas do 2ºGrau, para ajudar no controle do forno. É importante ler as seguintes fontes de pesquisa, pelo menos, eu recomendo: http://www.dansworkshop.com/electricity-and-electronics/induction-heating.htm aqui, no dan's workshop, há informações…

JEFFERSON ABNER OBJETIVOS: • Aplicar técnicas de controle de potência em equipamentos e dispositivos eletroeletrônicos; • Especificar e utilizar dispositivos eletrônicos de controle de potência em acionamentos de equipamentos; • Analisar gráficos e interpretar curvas características dos dispositivos eletrônicos; CONHECIMENTOS: • Dispositivos retificadores (SCR, TRIAC, DIAC, UJT, IGBT) • Especificações e limitações de dispositivos semicondutores • Características de Gatilho e…

TENSÃO SÃO JOSÉ DO RIO PRETO 2014 ESCOLA TECNICA CURSO NOBRE ALEXANDRE PIMENTA PALMEIRA INVERSORES DE TENSÃO Trabalho de Conclusão de Curso apresentado como requisito parcial para obtenção do grau de Técnico em Eletronica, Curso Técnico em Eletronica, sob orientação…

Tirístores São Luís - MA 2014 Centro de Educação Profissional e Tecnologia – CEPT-DI São Luís, dia 16 de dezembro de 2014. Curso Técnico de Eletromecânica Modulo: Eletrônica Professor: Júlio César DAYANE GONÇALVES COSME DAMIÃO JUNIOR SANDRIELY DAMASCENO Trabalho realizado para obtenção de nota Parcial da disciplina de eletrônica. SÃO LUÍS 2014 INTRODUÇÃO Este trabalho abordará assuntos relacionados a transistores…

pulso irá determinar quanto tempo cada IGBT fica ligado, neste circuito eles nunca devem ficar ligados ao mesmo tempo, ou seja, liga o IGBT1, e desliga o IGBT2, depois liga o IGBT2 e desliga o IGBT1, se o sinal estiver mal distribuido, um IGBT irá aquecer mais do que o outro, e poderá queimar. Além disso, o sinal no circuito de saída estará fora de fase. Se ficarem desligados juntos, o circuito perde rendimento, pois não estará alimentando a saída na frequência de ressonância. O sinal…

FOTOVOLTAICOS Marcelo da Costa Saad CONTROLADOR DE CARGA E DESCARGA DE BATERIAS, MICROCONTROLADO COM PIC, COM APLICAÇÃO EM SISTEMAS DE FORNECIMENTO DE ENERGIA EM GERAL, INCLUINDO SISTEMAS FOTOVOLTAICOS Aluno(s): Marcelo da Costa Saad Orientador(es): Mauro Speranza Neto João Saad Junior Trabalho apresentado com requisito parcial à conclusão do curso de Engenharia de Controle e Automação na Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, Brasil Agradecimentos…