Halliday Cap 3

(2) Sendo a distancia D>>y. D a distancia das fendas até o anteparo e y a posição do ponto no anteparo relativa ao máximo central. A intensidade da onda difratada para um ângulo θ qualquer é dada por: (3) Onde é a intensidade no centro da figura de difração, o símbolo α é apenas um parâmetro conveniente para expressar a relação entre o ângulo θ que especifica a posição de um ponto na tela de observação e a intensidade luminosa I(θ) nesse ponto

´ Conteudo Introducao ¸˜ 3 1 Lei de Coulomb 4 2 Campo El´ trico e 13 3 Lei de Gauss 37 4 Potencial El´ trico e 55 5 Energia Eletrost´ tica; Capacitores a 68 6 Movimento de part´culas carregadas em campo el´ trico prescrito ı e 79 7 Problemas adicionais 87 Constantes f´sicas selecionadas ı 124 2 Introducao ¸˜ Os problemas foram mais ou menos agrupados por assunto. 3 Cap´tulo 1 ı Lei de…

Exemplo 2 - uma superfície gaussiana esférica contém uma partícula carregada +q no centro : Exemplo 3 - uma superfície gaussiana qualquer envolvendo um conjunto de cargas: www.fisicacb.blogspot.com.br - 1 www.fisicacb.blogspot.com.br Verifique que nos exemplos 1 e 2 é fácil calcular o fluxo pelas suas duas definições: tanto determinando a carga qS quanto fazendo a integral . Porém, no exemplo 3, não é simples realizar a integral do fluxo. No caso de usar a lei de Gauss para…

Dezembro de 2009 1 e-mail: tort@if.ufrj.br. ´ Conteudo Introduc¸a˜ o 3 1 Lei de Coulomb 4 2 Campo El´etrico 13 3 Lei de Gauss 37 4 Potencial El´etrico 55 5 Energia Eletrost´atica; Capacitores 68 6 Movimento de part´ıculas carregadas em campo el´etrico prescrito 79 7 Problemas adicionais 87 Constantes f´ısicas selecionadas 124 2 Introduc¸a˜ o Os problemas foram mais ou menos agrupados por assunto. 3 Cap´ıtulo 1 Lei de Coulomb PROBLEMA 1.1 Uma certa carga…

lado. O centro deste pedaço está em x = 2 m, y = 0. O centro da placa quadrada (antes de ser recortada) está em x = y = 0. Determine (a) a coordenada x e (b) a coordenada y do centro de massa da placa após o recorte. y 2m 0 x 2m 6m 3. 2m Fig.03 6m 02 4. (10E) Dois patinadores, um com 65 kg de massa e outro com 40 kg, estão de pé em um rinque de patinação no gelo segurando uma vara de massa desprezível com 10 m de comprimento. Partindo das…

.................................. 40 2.4.8.1.3 Detecção por filtro casado .......................................................................... 41 2.4.8.2 Comparação entre as técnicas de sensoriamento ................................... 41 3 METODOLOGIA .................................................................................................... 42 4 ANÁLISE DOS RESULTADOS ............................................................................. 44 4.1 Análise do…

` 10 de Junho de 2013, as 14:26 LISTA 3 - Prof. Jason Gallas, DF–UFPB Exerc´cios Resolvidos de F´sica B´ sica ı ı a Jason Alfredo Carlson Gallas, professor titular de f´sica te´ rica, ı o Doutor em F´sica pela Universidade Ludwig Maximilian de Munique, Alemanha ı Universidade Federal da Para´ba (Jo˜ o Pessoa, Brasil) ı a Departamento de F´sica ı Numeracao conforme a SEXTA edicao do “Fundamentos de F´sica”, Halliday, Resnick e Walker. ¸˜ ¸˜ ı Esta e outras…

LISTA 3 - Prof. Jason Gallas, IF–UFRGS 3 de Agosto de 2003, a` s 10:14 a.m. Exerc´ıcios Resolvidos de Dinˆamica Cl´assica Jason Alfredo Carlson Gallas, professor titular de f´ısica te´orica, Doutor em F´ısica pela Universidade Ludwig Maximilian de Munique, Alemanha Universidade Federal do Rio Grande do Sul Instituto de F´ısica Mat´eria para a QUARTA prova. Numerac¸a˜ o conforme a quarta edic¸a˜ o do livro “Fundamentos de F´ısica”, Halliday, Resnick e Walker. Esta e outras listas…

ELETRICIDADE E MAGNETISMO Professores participantes: Ester Avila Mateus Irineu Hibler Luzia Weiller Daniel Revisado em fevereiro de 2010. Sum´ ario I Introdu¸ c˜ ao ` a teoria dos erros II O ohm´ımetro, volt´ımetro e amper´ımetro III Campo el´ etrico 3 7 12 IV Elementos resistivos lineares e n˜ ao lineares 16 V Associa¸ c˜ ao de resistores 22 VI Princ´ıpios de Kirchhoff 28 VII Resistividade de um fio de n´ıquel–cromo e Ponte de fio de n´ıquel–cromo 33 VIII IX X…

novo nível EA perto do nível EV. Isso é possível com impurezas de Bóron, Aluminium, Gallium, Indium, etc. Para que as impurezas tenham o efeito desejado, o nível EA deve ser vazio para poder aceitar elétrons. Estas impurezas se chamam aceitadores. 3. Camadas Semicondutoras Dopadas Existem três tipos de técnicas para moldar a dopagem de substrato semicondutor: 3.1. Por crescimento de nova camada semicondutora com dopagem, e eventualmente composição, específica. Esta técnica também é…