Calcule V Vp Pn T E F Para Onda Senoidal

Transformação Indutor Série-Paralelo Com Resistor ........................................................ 43 4.1.2 Transformação Capacitor Paralelo-Série com Resistor ..................................................... 45 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 Rede Com T de Capacitores e Indutor ................................................................................. 46 Rede em π…

DIODO POLARIZAÇÃO DO DIODO CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE 7 8 8 10 1.3 DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO 11 1.4 APROXIMAÇÕES DO DIODO 12 1.5 RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA RETIFICADOR DE MEIA ONDA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE 14 16 17 19 1.6 CAPACITOR 20 1.7 FILTRO PARA O RETIFICADOR 24 1.8 DIODO ZENER CORRENTE MÁXIMA NO ZENER REGULADOR DE TENSÃO COM ZENER CÁLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS. …

dispositivos condutores, semicondutores, isolantes e magnéticos. Prof. Dr. Gelson Antônio Andrêa Brigatto BIBLIOGRAFIA Básica: 1. SCHIMIDT, Walfredo. Materiais Elétricos, Vols. I e II, Edgard Blücher, São Paulo, 1979. 2. SHACKELFORD, James F. Ciência dos Materiais, 6º Edição, Prentice-Hall, 2008. 3. CALLISTER, William D. Fundamentos da Ciência e Engenharia de Materiais, 2a Ed., Editora LTC, 2006. 4. SEDRA, Adel S., Microeletrônica, 5o Edição, Makron Books, 2007.…

tercer bloque presenta los rasgos más significativos del comportamiento físico de los dispositivos semiconductores y de su tecnología de fabricación. A partir de las propiedades eléctricas de los semiconductores se explica el comportamiento de la unión PN y el principio de funcionamiento del transistor bipolar y del transistor MOS, justificando el modelo circuital que representa al dispositivo. También se presentan los procesos básicos en la tecnología de semiconductores y las etapas de…

lacunas excedem em número os elétrons livres num semicondutor tipo p, as lacunas são chamadas portadores majoritários e os elétrons livres, portadores minoritários. 6 1.2 DIODO A união de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtém-se uma junção pn, que é um dispositivo de estado sólido simples: o diodo semicondutor de junção. Devido a repulsão mútua os elétrons livres do lado n espalham-se em todas direções, alguns atravessam a junção e se combinam com as lacunas. Quando isto…

Alessandra Bosquilha Márcio Pelegrini 2a Edição EXPEDIENTE Editor Responsável Coordenadora de Produção Editorial Assistente Editorial Autora Projeto Gráfico e Diagramação Ilustrações Capa Revisão Italo Amadio Katia F. Amadio Edna Emiko Nomura Alessandra Bosquilha Márcio Pelegrini EXATA Editoração Fabiana Fernandes Antonio Carlos Ventura Ariadne Escobar Branco da Silva Kimie Imai Sérgio Torres D ados Internacionais de Catalogação na Publicação (CIP) (Câmara…

Brasileira do Livro, SP, Brasil) U3e Universidade de Uberaba Engenharia Elétrica / Universidade de Uberaba; organização [de] Adriana Rodrigues, Raul Sérgio Reis Rezende. -- Uberaba: Universidade de Uberaba, 2011 193 p. – (Série Tecnologias; etapa IX, v.1) Produção e supervisão: Programa Educação a Distância – Universidade de Uberaba ISBN 1. Engenharia Elétrica 2. Educação a distância 3. Eletrotécnica 4. Gestão de Projetos I. Rodrigues, Adriana; Rezende, Raul Sérgio Reis. II.…

mudando o sentido do movimento, vai até o km 32. O deslocamento escalar e a distância efetivamente percorrida são, respectivamente: a) 28 km e 28 km d) b) 18 km e 38 km e) 38 km e 18 km c) 4 (UEL-PR) Um homem caminha com velocidade v H 3 ,6 km/h, uma ave, com velocidade 30 m/min, e um inseto, com vI 60 cm/s. vA Essas velocidades satisfazem a relação: a) vI vH vA d) vA vH vI b) vA vI vH e) vH vI vA c) vH vA vI 5 (UFPA) Maria saiu

deve estar dentro de uma faixa especificada; ue o servi¸o n˜o deve sofrer interrup¸oes (na pr´tica: o servi¸o deve sofrer o m´ c a c˜ a c ınimo n´mero de interrup¸oes, e estas devem durar o menor tempo poss´ u c˜ ıvel); a forma de onda da tens˜o deve ser (a mais pr´xima poss´ de) uma sen´ide; a o ıvel o a energia deve ser entregue ao consumidor com o m´ ınimo custo (gera¸˜o ca econˆmica, transmiss˜o com m´ o a ınima perda, etc.); o impacto…

mostra a fig. ao lado: A quantidade de linhas de força ao redor desse solenóide pode aumentar em função do aumento das espiras ou da corrente circulante. Chamado de Ф o número de linhas do campo magnético que atravessam perpendicularmente uma superfície F (área da forma isolada)em cm2, e β a densidade do campo magnético, podemos saber o número de linhas que atravessam 1cm2 pela relação: Onde a unidade de β será 1 linha de campo por cm2, que é conhecida por Gauss e Ф será o fluxo…