Transistores FET

1 FET (Field Efect Transistor – Transistor de Efeito de Campo) A primeira referência a um dispositivo como o FET foi feita em uma patente de 1930, por Julius Edgar Lilienfeld, um pesquisador ucraniano nascido em 1882 e que migrou para os EUA na década de 1920. A ideia tratava-se de controlar a condutividade de um material por meio da aplicação de um campo elétrico transversal ao mesmo; porém o sistema de Lilienfeld não iria a frente devido as limitações tecnológicas de seu tempo, pois o domínio de semicondutores e a física necessária para a construção de FETs só apareceria no início da década de 1950.
O FET então pode ser definido, segundo Turner (2004), como:
[...] um canal de transporte de corrente formado de material semicondutor cuja condutividade é controlada por uma tensão aplicada externamente. A corrente é transportada por um tipo apenas de portador de carga; elétrons nos canais formados de material semicondutor do tipo n, lacunas nos material tipo p. O transistor de efeito de campo é portanto às vezes chamado transistor unipolar. Isto é para distingui-lo do transistor de junção, cuja operação depende de ambos os tipos de portador de carga, e que é portanto chamado transistor bipolar.
Devido ao uso da tensão para gerar o campo elétrico, o FET utiliza de baixíssimas correntes de controle (consideradas nulas), o que lhe dá uma alta impedância de entrada. É em decorrência destas características que hoje o FET é o elemento dominante em sistemas lógicos moderno.
De acordo com Turner (2004) os transistores de efeito de campo podem ser divididos em dois tipos:
JFET (FET de junção)
IGFET (FET de porta isolada)
Dentre os IGFETs, pode-se distinguir dois subtipos:
MOSFET (Metal Óxido Semicondutor – FET)
SOS (Silicon-on-Sapphire – Silício entre Safiras)
Desta classificação pode-se passar à explicação do funcionamento de cada dispositivo.

2 JFET (Transistor de Efeito de Campo de Junção)

Segundo Cruz e Choueri (2007), o JFET é um dispositivo que