Transistor FET

Já medimos a curva característica para um transistor de junção tradicional npn, o BD135. Um FET é um dispositivo semicondutor que controla o fluxo de portadores em seu interior utilizando um canal, cuja espessura é controlada por regiões de depleção, nas quais não existem portadores. Observe que, como o controle é feito por diferença de potencial, por campo elétrico, não existe a injeção de portadores, aumentando a impedância de entrada do dispositivo.

O FET apresenta três conexões, o dreno (drain, D), a fonte (source, S) e o "controle do portão" (gate, G). A corrente de elétrons flui da fonte para o dreno através de um canal, sendo que a espessura deste canal, e consequentemente sua resistência, depende da região de depleção formada entre o gate e a source. Esta região de depleção depende do campo elétrico formado, e consequentemente da tensão aplicada VGS.
Curva característica de um FET A curva característica de um FET é a medida da corrente no dreno (ID) em função da tensão aplicada sobre o FET, VDS, quando VGS=0. De forma similar ao transistor de junção, o FET apresenta uma região inicial de polarização das junções, seguida de um patamar estável,ou de saturação e a região de ruptura. A corrente de saturação observada nestas condições é chamada IDSS, sendo um dos parâmetros importantes no modelamento do comportamento de um FET. Outros parâmetros importantes são a VGS e a tensão de constrição ou de pinch off, VP, que é a tensão associada ao "estreitamento" do canal de condução, localizada no "joelho" anterior ao plato de corrente de saturação.

Visite ! A corrente IDS pode ser estimada, na região ativa do FET, no plato de saturação, pela relação abaixo:

Os valores de VGS são negativos, a partir do zero para controlar a corrente que atravessa o FET. Uma curva característica para um FET similar aos utilizados no laboratório é mostrada abaixo :