Transisitor unipolares - JFET e MOSFET
2498 palavras
10 páginas
Eletrônica Analógica IITransistores Unipolares
JFET / MOSFET
Data da Entrega (Prevista): 02/05/2007
Curso: Engenharia Elétrica c/ Ênfase em Telecomunicações
Turma: 4º A
Componentes do Grupo
Nota
Clodoaldo Teixeira
Edgar de Oliveira Carmo
Corrigido pelo Professor:
Índice
1. Transistores Unipolares: JFET e MOSFET 3
1.1. JFET 3
1.1.1. Polarização de um JFET 4
1.1.1.1. Curva Característica de Dreno 5
1.1.1.2. Curva de Transcondutância 6
1.1.1.3. Autopolarização 6
1.1.1.4. Reta de Autopolarização 8
1.1.1.5. Seleção RS 9
1.1.2. Transcondutância 10
1.1.2.1. Transcondutância de um Transistor Bipolar 11
1.1.3. Amplificador de Fonte Comum 11
1.1.4. Amplificador com Realimentação Parcial 12
1.1.5. Amplificador Seguidor de Fonte 13
1.2. MOSFET 15
1.2.1. MOSFET de Modo Depleção 15
1.2.2. MOSFET de Modo Crescimento ou Intensificação 16
1.2.3. Tensão Porta-Fonte Máxima 19
2. Conclusão 20
3. Referências Bibliográficas 21
1. Transistores Unipolares: JFET e MOSFET
Os transistores bipolares, se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e elétrons, e são utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem aplicações nos quais os transistores unipolares com a sua alta impedância de entrada são uma alternativa melhor. Este tipo de transistor depende de um só tipo de carga, daí o nome unipolar.
Há dois tipos básicos: os transistores de efeito de campo de junção (JFET - Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET).
1.1. JFET
Na Figura abaixo, é mostrada a estrutura e símbolo de um transistor de efeito de campo de junção ou simplesmente JFET.
a condução se dá pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o dreno (D), através do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O transistor pode ser um dispositivo com canal n (condução por elétrons) ou com canal p (condução por lacunas). Tudo que for dito sobre o