Trabalho

Sumário
1 - Introdução
2 - FET
2.1 - Características
2.2 - Circuito Básico
3 - MOSFET
3.1 - Características
3.2 - Circuito Básico
4 - IGFET
5 - Bibliografia
5.1 - Sites
5.2 - Livros
6 - Anexos

1 - Introdução
Em 1925, quando Julius E. Lilienfeld desenvolveu os princípios aplicados ao funcionamento do FET, não se imaginava que um mesmo dispositivo pudesse ser usado em circuitos analógicos e digitais (ainda raros, na época). Com o decorrer do tempo, foram surgindo novas tecnologias e aprimoramentos daquelas já existentes. Hoje JFET e a família MOS fazem parte do cotidiano da eletrônica, o que nos traz a responsabilidade do entendimento básico sobre eles.

2 - FET
O nome FET significa, em inglês, “Field Effect Transistor” ou “Transistor de Efeito de Campo” na Língua Portuguesa. Um FET é um dispositivo semicondutor que controla o fluxo de portadores em seu interior utilizando um canal, do qual a espessura é controlada pelas regiões de depleção, nas quais não existem portadores. O controle é feito pela diferença de potencial, por campo elétrico, não existe a injeção de portadores, o que aumenta a impedância de entrada do dispositivo. O FET é um dispositivo unipolar, dependendo somente da condução realizada por elétrons (canal N) ou buracos (canal P). O mesmo é utilizado em várias aplicações e realiza, em larga escala, muitas das funções de um Transistor de Junção Bipolar.
2.1 - Características
Os FETs têm como principal característica a impedância de entrada elevada, o que permite o seu uso como adaptador de impedâncias, podendo substituir transformado_ res em determinadas situações, e para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.
O FET conta com três conexões: o Dreno (Drain, D), a Fonte (Source, S) e a Porta (Gate, G), permitindo seis formas de polarização (observe anexos a, b e