SIM azhaha

bjt (polarização npn)

Cassiano Ferro Moraes* [e-mail] Edeval R. M. Junior* [e-mail] Henrique H. K. Pfeifer* [e-mail] Lucas Dioto da Silva* [e-mail] *Universidade Tecnológica Federal do Paraná – Campus Pato Branco

Resumo: O objetivo deste trabalho é realizar uma abordagem sobre o transistor BJT (Transistor Bipolar de Junção) com polarização NPN. Inicialmente explica-se sobre a definição de ponto de operação e reta de carga, também é feito uma abordagem sobre as diferentes formas de polarização (Fixa, Do Emissor, Divisor de Tensão, Realimentação do Coletor e Seguidor de Emissor). Por fim é feito um comparativo entre os tipos de polarização, citando vantagens e/ou desvantagens e aplicações.

Palavras-Chave: Divisor de Tensão, Polarização, Ponto de Operação, Realimentação do Coletor , Reta de Carga, Transistor BJT.

Abstract: This paper presents a explanation about the transistor BJT (Bipolar Junction Transistors) and transistor bias circuits. Initially the explanation is about the operation point and load line, also is made an approach about the different bias (basic bias, emitter bias, voltage-divider bias, collector-feedback bias and emitter follower bias). Therefore, is made a comparative between the types of bias by listing the benefits and/or disadvantages and applications.

Keywords:Voltage-divider, Bias, Operation point, Collector-Feedback Bias, Load Line, Bipolar Junction Transistors.

1 INTRODUÇÃO

No ano de 1947 teve-se a primeira amplificação através de um transistor, tal fato foi realizado na empresa Bell Telephone, o primeiro transistor constituído de três terminais projetado está representado na Figura 1. Anteriormente a esta inovação utilizava-se as válvulas eletrônicas, criadas em 1904 (Boylestad, 2004).
Segundo Chiquito e Lanciotti (1998), o nome transistor, surgiu depois, sendo originalmente usado como uma abreviação para “transfer resistor”,