Retificador

ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

Retificador controlado de silício ( SCR ou Tiristor)
5.Tiristor
O nome tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores que operam em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa seqüência p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestável.
O tiristor de uso mais difundido é o SCR(Retificador Controlado de Silício), usualmente chamado simplesmente de tiristor.
Outros componentes, no entanto, possuem basicamente a mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), também chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional),
DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutável pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS).
5.1 Princípio de funcionamento
O tiristor possui uma estrutura com quatro camadas e três terminais. O ânodo (A) e o cátodo (K) são os terminais de potência da chave e o gate (G), o terminal de controle

Fig. 5.1
Pode apresentar-se em um de três estados de operação:
(a). estado corte – polarização reversa
(b). estado corte – polarização direta
(c). estado condução - polarização direta

Fig. 5.2

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ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
5.1.1Comportamento do b de Transistor Bipolar de Potência com corrente de coletor e temperatura O ganho de corrente dos TBP varia com diversos parâmetros (Vce, Ic, temperatura), sendo necessário, no projeto, definir adequadamente o ponto de operação .A figura 5.3 mostra um comportamento típico do ganho.
Em baixas correntes, a recombinação dos portadores em trânsito leva a uma redução no ganho, enquanto para altas correntes tem-se o fenômeno da quasesaturação também reduzindo o ganho.
Para uma tensão Vce elevada, a largura da região de transição da junção coletor base que penetra na camada de base é maior, de modo a reduzir a espessura efetiva da base, o que leva a um aumento do ganho. Fig. 5.3 - Comportamento típico do ganho de corrente em função da tensão Vce, da temperatura e da corrente de