Realtorio 1 Ele 2

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIA
CENTRO DE TECNOLOGIA
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

RELATÓRIO DE DISPOSITIVOS E CIRCUITOS ELETRONICOS II

Prof. Cesar Ramos Rodrigues

Lucas Prevedello

Santa Maria, RS, Brasil
2014
SUMÁRIO

CAPÍTULO 1 2
1.1 Introdução 2
1.2 CÁLCULO DAS CORRENTES 4
1.3 REPRESENTAÇÃO DO TRANSISTOR UTILIZADO 6
1.4 Objetivos 6
1.5 Procedimentos Experimentais 6
REFERÊNCIAS 6

CAPÍTULO 1
1.1 Introdução
O Transistor Bipolar de Junção é um dispositivo semicondutor, composto por três regiões de semicondutores dopados (base, coletor e emissor), separadas por duas junções p-n. A junção p-n entre a base e o emissor tem uma tensão de barreira (V0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB. Contrariamente ao transistor de efeito de campo, no qual a corrente é produzida apenas por um único tipo de portador de cargas no TJB a corrente é produzida por ambos os tipos de portadores de cargas.Existem dois tipos de TJB: npn e pnp. A figura 1 representa os seus respectivos símbolos esquemáticos.

Figura 1 - Símbolo esquemático de TJB (npn à esquerda e pnp à direita)

O transistor consiste em duas junções pn, a junção emissor-base e a junção coletor-base, habitualmente designadas simplesmente junção de emissor e junção de coletor. Dependendo da condição de polarização (direta ou inversa) de cada uma das junções, obtêm-se diferentes modos de funcionamento do transistor, como se mostra na Tabela 1.
Modo de funcionamento
Polarização JEB
Polarização JCB
Corte
Inversa
Inversa
Ativo
Direta
Inversa
Saturação
Direta
Direta
Tabela 1 – Modos de funcionamento dependendo da condição de polarização

O modo ativo é aquele em que o transistor é usado para funcionar como amplificador. Em aplicações de comutação utilizam-se os modos de corte e de saturação. A figura 2 ilustra esses três modos de funcionamento.

Figura 12- Curvas Características IC-VCE de um TJB npn

1.2 CÁLCULO DAS CORRENTES
As correntes devidas aos portadores minoritários gerados termicamente são