Polarizacao de transistores

POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES

SÃO PAULO 2012

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Indice 01 – Parte Teórica 02 – Material Experimental 03 – Objetivo 04 – Parte Prática 05 – Exercícios 06 – Conclusão 07 – Referencias Bibliográficas

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01 – Parte Teórica O Transistor é basicamente constituído de três camadas de materiais semicondutores, formando as junções NPN ou PNP. Essas junções recebem um encapsulamento adequado, conforme o tipo de aplicação e a ligação de três terminais para conexões externas. emissor N P N coletor emissor P N P coletor

base

base

A corrente de emissor (IE) é composta pela soma das correntes de base (IB) e de coletor (IC).Analogamente, observamos que, a tensão entre coletor-emissor (VCE) é composta pela soma das tensões base-emissor (VBE) e base –coletor (VCB). Portanto, podemos escrever IE= IB+ IC VCE= VBE+VBC(NPN)
NPN coletor PNP coletor

base

base

emissor

emissor

Sem polarização, uma junção NPN ou PNP, apresenta duas barreiras de potencial, idênticas àquela vista na junção PN de um diodo semicondutor. Para movermos os elétrons e lacunas nos materiais, é necessária a colocação de baterias que poderão deixar cada junção direta ou reversamente polarizada. Vamos a seguir, analisar todas as possibilidades de polarização, destacando o caso mais vantajoso :

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1o caso – as duas junções reversamente polarizadas

N

P

N

P

N

P

Neste caso, não há circulação de corrente, pois as duas junções estão reversamente polarizadas, deixando o dispositivo em situação de corte. 2o caso – as duas junções diretamente polarizadas

N

P

N

P

N

P

Neste caso, circula corrente pelas duas junções, estando o dispositivo em situação de saturação 3o caso – uma junção diretamente polarizada e a outra reversamente polarizada
P N P P N P

Neste caso, circula corrente por ambas as junções, apesar da polarização reversa, pois aqui, ocorre o fenômeno denominada de efeito transistor. Devido a esse fenômeno, utilizaremos este caso para