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UNIVERSIDADE POLITÉCNICA
“A POLITÉCNICA”

Curso: ENGENHARIA INFORMÁTICA E DE TELECOMUNICAÇÕES
Disciplina: L. E. e I. 1

Relatório
Experimento número 3

Tema: Estudo do díodo

Participante:
Classificação:

N.Ordem
Código
Nome
Apresentação
Defesa
Final
1
306681
Júlio Francisco Simbine;

Maputo, Abril de 2014

Docente
João Machiana

Introdução

Neste relatório tenho como objectivo apresentar os resultados obtidos no ensaio com o díodo, onde tínhamos como principal objectivo medir a tensão e a corrente. Depois disso construí um gráfico para ler o comportamento e por fim fiz a conclusão. Foi uma experiência complicada devido aos problemas apresentados pelo equipamento, mas depois de tudo foram supostamente superados.

Resumo Teórico

Neste experimento usamos o Díodo Rectificador que é constituído por uma junção PN de material semicondutor (silício ou germânio) e por dois terminais, o Ânodo (A) e o Cátodo (K).

Junção PN é junção de um material semicondutor do tipo P (com excesso de lacunas) com um material semicondutor do tipo N (com excesso de electrões livres) origina uma junção PN. Na zona da junção, os electrões livres do semicondutor N recombinam-se com as lacunas do semicondutor P formando uma zona sem portadores de carga eléctrica que se designa por zona neutra ou zona de depleção.

Princípio de funcionamento

Quando polarizado directamente um díodo rectificador conduz porque na junção PN a zona neutra ou zona de depleção (zona sem portadores de carga eléctrica) estreita a resistência eléctrica diminui e a corrente eléctrica passa.

Quando polarizado inversamente um díodo rectificador não conduz porque na junção PN a zona neutra ou zona de depleção (zona sem portadores de carga eléctrica) alarga a resistência eléctrica aumenta significativamente e a corrente eléctrica