Modelo vt

510 palavras 3 páginas
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VT 30”

Cliente: Hospital do Câncer
Produto: Institucional
Título: Institucional 2009

|Vídeo |Áudio |
| | |
|A Porta da Casa de Apoio se abre e a Dona Marlene convida ao |Trilha sonora calma, sem ser muito emotiva. Tem que passar |
|telespectador para entrar e conhecer a rotina diária das |alegria. Evitar tristeza. |
|Voluntárias. A Câmera passeia por toda a casa de Apoio. | |
| |Locução: |
| |SEJAM BEM VINDOS A CONHECER O TRABALHO QUE A REDE FEMININA DE |
| |COMBATE AO CÂNCER DE MS REALIZA DESDE A SUA FUNDAÇÃO EM 20 DE |
| |ABRIL DE 1954. |
| | |
| | |
| |Locução: |
|Inserir imagens: Dona Marlene na sala da sede oficial |SEU CORPO ADMINISTRATIVO É INDEPENDENTE E COMPOSTO DE: |
|trabalhando. |DIRETORIA GERAL, VICE-DIRETORIA, SECRETÁRIA, TESOUREIRA, |
|Dona Ivone na sede conversando com Dona Marlene. Imagens da

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    2 Funcionamento - depleção Pequeno potencial aplicado (VGS < Vt) •o potencial VGS aplicado entre porta e substrato atrai elétrons livres e afasta lacunas livres da interface óxido-substrato: surge uma região de depleção entre a interface e o substrato, ligando as regiões de depleção das junções ENG04055 – Concepção de CI Analógicos – Eric Fabris Funcionamento - inversão Aumento do potencial aplicado (VGS > Vt): condição de inversão •se o potencial VGS aumentar, a concentração….

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    #include<stdio.h> #include<conio.h> #include<math.h> Main() { Int A=’1’, TP, SE, TVF, AN, B=’0’, PAR, AB=’1’, R3, R2, R1; Float VV, VE, VF, VT, VTF; Char U, MV, MD; Printf(“Seja Bem vindo ao Simulador Financeiro\n”); Printf(“Aguarde um Momento\n”); While(A< 20) { Printf(“.”); A++; } Do{ Pintf(“digite 1 para simulador financeiro\n digite 2 para simulador financeiro residencial\n digite 3 para sair\n”); Scanf(“%d”, &TP); IF(TP>=4 || TP== 0) { Pintf(“valor….

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  • Mosfet
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    o canal estará formado ligando a fonte ao dreno. O valor mínimo de VGS para se formar o canal é chamado de tensão de limiar (threshold) ou Vt. • Operação do transistor A operação de um MOSFET pode ser dividida em três diferentes regiões, dependendo das tensões aplicadas sobre seus terminais. Para o MOSFET canal n: • Região de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a fonte.….

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    Relatório 1 – Modelo discreto equivalente de um sistema contínuo no tempo Laboratório de Sistemas de Controle II Professora Lilian Kawakami Carvalho Alunos: Daniel Hauser Diego Lameirão Sumário 1) Objetivo ........................................................................................................................................................... 3 2) Introdução ................................................................................................….

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  • Quest Es De Osciladores E Distor O
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    Tens˜oes, pode-se obter Vsa = Vcc − Ic Rc (6) A corrente no coletor de um TBJ ´e dada por Vbe Ic = Is e VT A fun¸c˜ao exponencial possui a seguinte expans˜ao em s´erie de Taylor em torno da origem 2 (7) x2 x3 x4 + + + ... (8) 2! 3! 4! ent˜ao, pode-se expandir a equa¸c˜ao (7) em s´erie de Taylor e obter ex = 1 + x + Como Vbe = VBE + vbe vbe v2 v3 Ic = [1 + + be + be + ...] IC VT 2!VT 3!VT Considerando-se que o sinal de entrada seja de pequena amplitude, vale a aproxima¸c˜ao DHn = |bn | |an….

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    potencial de superfície torna-se de valor igual a duas vezes o potencial de Fermi, ou seja, considerando substrato tipo p, temos: φ S = 2.φ F (1) kT  N A   ln  q  ni    1 + 2.φ F + . 2.q.ε Si .N A .2.φ F CO onde: φ F = (2) VT = VFB (3) onde: QO + Φ MS (4) CO QO = carga efetiva de interface SiO 2-Si, por unidade de área. ΦMS = diferença de função trabalho entre o metal e o semicondutor. ε C O = ox = capacitância de placas paralelas do dielétrico de porta t….

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    substituído pelo modelo do transformador. O modelo de pequenos sinais para o oscilador é dado na figura 3. [pic] Figura 3 – Modelo para pequenos sinais do oscilador a transistor Pode-se observar que a freqüência de oscilação é [pic], visto que: [pic] equivalentemente: [pic] A inequação é satisfeita, a oscilação cresce até que a não-linearidade do transistor reduz [pic] para a unidade e o nível da oscilação estabiliza-se. Para determinar a amplitude (Vt) em que a tensão….

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    é aplicada uma tensão positiva  PMOS: conduz com uma tensão negativa. Aspectos construtivos Operação  Região de Corte VGS < Vt _ Não há condução entre o dreno e a fonte.  Região de Triodo (ou região linear) VGS > Vt e Vds < VGS – VT _ Há condução entre o dreno e a fonte. A corrente do dreno para a fonte é:  Região de Saturação VGS > Vt e Vds > VGS – VT _ Permite o fluxo de corrente, mas parte do canal é desligado. Corrente de dreno é relativamente “independente” da tensão de dreno e….

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