Mem Ria DRAM E SRAM 27

Memória DRAM e SRAM
História
A memória dinâmica foi desenvolvida nos laboratórios da IBM através de um processo evolutivo que levou seis transistores usando apenas um capacitor e um transistor DRAM como a conhecemos hoje. Criada em 1966 por Robert Dennard, que obteve uma patente dos EUA em 1968 feito de um único transistor de efeito de campo e um condensador de memória.
Os esforços da IBM foram destinados a melhorar os seus equipamentos de computação, tais como linha 360 Sistema: o Modelo 25, em 1968, e incluiu uma Scratchpad como cinco vezes mais rápido do que a memória principal com base em núcleos de ferrete integrados. Dado o modelo de negócios da IBM que era para venda ou locação de computadores, um negócio rentável para IBM usar DRAM foi reduzida para ser o complemento da memória principal com base em núcleos magnéticos. Não havia nenhum interesse em vender tais memórias para outros fabricantes nem ideia de usar tecnologias SRAM ou tipo DRAM estado sólido para construir a memória principal. A empresa Intel foi criada para aproveitar esta oportunidade de negócio: Gordon Moore observou que, enquanto a indústria de semicondutores estava estagnada, apesar da existência de usos potenciais de silício integrados como o fabrico de SRAM e DRAM.
Embora a Intel começasse com SRAM como o i1101 e i3101, o primeiro produto rentável foi integrado DRAM i1103 1024 bits. O i1103 lançado em 1970 consistiu de células de memória com 3 tipos PMOS e um condensador, foi organizado em uma matriz de 32 linhas e 32 colunas, embalado em um pacote de 18 pinos a um custo de 1 centavo por pouco foi um forte concorrente para as memórias de núcleo. A produção e qualidade integrada foram difíceis de manter, fato demonstrado quando a Intel deu alguma produção para outra empresa chamada Integrated Microelectronics Limited, que inicialmente poderia superar a mesmo Intel, mas depois da mudança importante no processo fabricação não foi capaz de produzir.
Memória i1103 era muito primitivo em