Eletronica

1. INTRODUÇÃO O Transístor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transístor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a Corrente é produzida apenas por um único tipo de Portador de Cargas (Electrões ou Lacunas), no TJB (BJT) a Corrente é produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas (Electrões e Lacunas), daí a origem do nome Bipolar.
[pic]
Figura 1 - Transístor de Junção Bipolar Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regiões n separadas por uma Região p. O Tipo pnp consiste em duas Regiões p separadas por uma Região n. As Figuras 2 e 3 representam os seus respectivos símbolos esquemáticos. A explicação seguinte refere-se ao TJB (BJT) npn, que é utilizado nesta Demonstração.
[pic]
Figura 2 - Símbolo esquemático de um TJB, npn
[pic]
Figura 3 - Símbolo esquemático de um TJB, pnp O transístor consiste em duas junções pn, a junção emissor-base (JEB) e a junção coletor-base (JCB, habitualmente designadas simplesmente junção de emissor e junção de coletor. Dependendo da condição de polarização (direta ou inversa) de cada uma das junções, obtêm-se diferentens modos de funcionamento do transístor (SEDRA, 2000), como se mostra na Tabela 1.

Tabela 1 – Modos de funcionamento dependendo da condição de polarização

|Modo de funcionamento |Polarização JEB |Polarização JCB |
|Corte |Inversa |Inversa |
|Ativo |Direta |Inversa |