Eletronica

EXPERIMENTO 4: TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO.

Gabriel J. Suzigan Ra 10163988, Lucas L. Molina Ra 09142226 , Rafael M. Piza Ra 10583987 .

Objetivo: Estudar o comportamento de um transistor de efeito de campo , dito FET ( Field Effect Transistor), obtendo suas curvas de funcionamento características afim de provar a equação de Schokley.

Lista de materiais:

|Simulação |
|Resistores: |1MΩ |500Ω |
|Transistor: |J2N3819 | |

|Bancada |
|Resistores: |1MΩ |500Ω |
|Transistor: |J2N3819 | |

Equipamentos:

| | |Simulação | | |
|Qte. | | | | |
|2 |VDC |
|2 |Multímetros |

|Qte. |Bancada |Modelos |
|1 |Gerador de Funções | |33120A HP |
|1 |Fonte DC | |E3610A HP |
|2 |Multímetros | |MINIPA |

Simulação:

O circuito utilizado é o mesmo dado no guia de atividades do professor na proposta de experimento da atividade 4, e é apresentado na figura.1.

[pic]

Figura 1 - Esquemático utilizado para a simulação

Foi feita a varredura AC no PSPICE, segundo a configuração mostrada na Figura 2.

[pic]

Figura 2 - Configuração da varredura AC

O resultado da simulação foi um gráfico da IdxVgs que é a corrente de dreno (medida em Ampere) em função das tensões de alimentação (medida em Volts), também chamado de gráfico de transcondutância (1).

[pic] (1)

[pic]Figura 3 - Gráfico Id X Vgs

Analisando a figura anterior