Dopagem de Semicondutores

Feira de CN - Dopagem de semicondutores
A dopagem é feita através da colocação de outras substâncias - chamadas impurezas- no meio do cristal semicondutor para alterar as propriedades elétricas dele. Essas impurezas são materias com átomos trivalentes ou pentavalentes, isto é, com 3 ou 5 elétrons na camada de valência.
Quando introduzimos uma impureza, de, por exemplo, 3 elétrons em sua camada de valência no reticulado de sílicio, formam "buracos" ou "lacunas" na treliça e um elétron do silício não tem a que se ligar. A ausência de elétron cria o efeito de uma carga positiva, daí dizemos que este semicondutor é do tipo P, pois está dopado positivamente. Lacunas podem conduzir corrente. Uma lacuna aceita muito bem um elétron de um vizinho, movendo a lacuna em um espaço.
Quando dopamos um cristal com impurezas pentavalentes, ainda no exemplo do silício, teremos a seguinte observação: Como a impureza possui 5 elétrons de valência, sobra um elétron para completar a ligação, e esse elétron a mais é chamado de elétron livre. Com esse elétron a mais, dizemos que o semicondutor está dopado negativamente, sendo chamado de semicondutor N.
A dopagem no diodo é feita pela introdução de elementos detro de cristais tetravalentes, normalmente feitos de silício e germânio (que são semicondutores). Quando dopamos esses cristais com elementos trivalentes, obteremos átomos com sete elétrons na camada de valência, que necessitam de mais um elétron para a neutralização no cristal P. O diodo é o dispositivo semicondutor mais simples possível.

Dopagem eletrônica ou simplemente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença