CRESCIMENTO DE FILME DE DIAMANTE EM SUBSTRATO DE TITÂNIO E CARACTERIZAÇÃO MORFOLÓGICA E ESTRUTURAL DO FILME
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CRESCIMENTO DE FILME DE DIAMANTE EM SUBSTRATO DE TITÂNIO E CARACTERIZAÇÃO MORFOLÓGICA E ESTRUTURAL DO FILMERELATÓRIO FINAL DE PROJETO DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA
Julho de 2014
SUMÁRIO
Pág.
1. OBJETIVO 1
2. JUSTIFICATIVA 1
3. REVISÃO BIBLIOGRÁFICA 1
3.1 O Diamante 1
3.2 O Método HFCVD 2
3.3 Funcionamento do Reator 2
3.4 Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) 3
3.5 Espectroscopia de Espalhamento Raman 3
4. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL 4
4.1 Preparação das Amostras 4
4.1.1 Limpeza 4
4.1.2 Seeding 4
4.2 Crescimento do Filme de Diamante 4
4.3 Caracterização Morfológica e Estrutural dos Filmes 5
4.3.1 Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) 5
4.3.2 Espectroscopia de Espalhamento Raman 7
4.3.3 Difração de Raios-x..................................................................................................8
1. Objetivo
Criar eletrodos de diamante dopado com boro, sob condições específicas de crescimento e dopagem, utilizando substrato de titânio, através do processo de deposição química a partir da fase vapor assistida por filamento quente ("Hot Filament Chemical Vapor Deposition" - HFCVD).
2. Justificativa
O diamante é um material com uma estrutura simples e constituído por apenas um elemento, o carbono. Ele começou a ser estudado devido as suas propriedades ímpares e podendo ser aplicado nas mais diversas áreas. É um material duro, possui uma alta resistência à abrasão, são ótimos condutores térmicos, são isolantes de corrente elétrica, e também são inertes quimicamente em até aproximadamente 800º C. Os diamantes sintéticos, no entanto, podem ter variações em seu comportamento estrutural de acordo com as necessidades requeridas, podendo obtê-los com algumas propriedades diferentes e/ou melhores do que as do diamante natural. Uma das propriedades que podem ser adquiridas é a capacidade de conduzir corrente elétrica através deste material. A possibilidade de dopar o