Carboneto de silício
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A primeira observação de SiC foi feita em 1824 por Jöns Jacob Berzelius, mas as propriedades do SiC não foram compreendidas.
A invenção do forno de fundição eléctrico por Acheson e a sua aplicação a compostos carbonados despertou o interesse no SiC.
O objectivo da invenção Acheson foi produzir um material que substituise o diamante e outros materiais abrasivos para corte e polimento.
O primeiro uso de SiC foi como um abrasivo. Este foi seguido por aplicações electrónicas.
Em 1907 Henry Joseph Round produziu o primeiro diodo emissor de luz através da aplicação de uma tensão a um cristal SiC.
As experiencias foram depois repetidas por OV Losev na União Soviética em 1923.
Forno de Acheson
Baixa densidade
Baixa expansão térmica
Elevada condutividade térmica
Dureza elevada
Módulo de elasticidade alto
Excelente resistência ao choque térmico
Resistência à corrosão, mesmo em altas temperaturas
Alta resistência ao desgaste
Alta resistência, mesmo em altas temperaturas
Resistência à oxidação, mesmo a temperaturas muito elevadas
Propriedades
Densidade (g/cm3)
3.1
Resistência à Flexão (MPa)
550
Resistência à tracção (MPa)
170
Resistência à compressão (MPa)
Modulo de Elasticidade (GPa)
Tenacidade à fractura
Dureza (Kg/mm2)
Condutividade Térmica (W/mK)
Coeficiente de expansão térmica (10-6/°C)
Calor Especifico (J/KgK)
Ponto de Fusão (ºC)
3900
410
4
2800
120
4
750
2700
Microestrutura da fase líquida de carboneto de silício sinterizado Microestrutura de um grão fino, de carboneto de silício ligado por silicato
China produziu 539 mil toneladas em 2009
China importou 1.3 mil toneladas em 2009
http://www.scielo.br/scielo.php?pid=S0104530X2005000100012&script=sci_arttext
http://wwwmaterials.eng.cam.ac.uk/mpsite/interactive_charts/energycost/IEChart.html