Barramentos

Barramentos de Memórias
Barramento de Memória é responsável pela conexão da memória principal ao processador. É um barramento de alta velocidade que varia de micro para micro.

DIP

8 Bits - velocidade de 150 a 120 nano-segundos
DIP significa Dual In Line Package. Este é o encapsulamento mais antigo para memórias. Era utilizado como chip de memórias em computadores XT e 286. Atualmente, este tipo de encapsulamento é usado para outros tipos de circuitos integrados que não sejam memórias.

SIPP

8 Bits - velocidade de 100 a 120 nano-segundos
SIPP significa Single In Line Pin Package. Este encapsulamento é na verdade uma variação do DIP. Sua diferença é que ao invés de usar as memórias DIP soldados na placa mãe, o SIPP tinha circuitos integrados de memória DIP associados em conjunto e soldados em uma placa com 30 terminais. Foi chamado de módulo ou pente de memória e não “chip de memória”. Eram usados em computadores 286 e nos primeiros 386.

DIMM

64 Bits - capacidade dos módulos DIMM: 16, 32, 64, 128 e 256 MB - freqüência de trabalho: 66 ou 100 MHz
DIMM significa Double In Line Memory Module. Este é um módulo de memória SIMM de 168 pinos com contatos nos dois lados. Os módulos de memória DIMM podem trabalhar com o modo ECC (detecção e correção de erros) em 72 bits.

SIMM
O barramento de um SIMM para chips atuais de memória é de 32 bits. Uma nova tecnologia, chamada dual in-line memory module (DIMM), provê um barramento de 64 bits.

DDR - SDRAM
A memória DDR SDRAM alcança uma largura de banda maior que a da SDR SDRAM por usar tanto a borda de subida quanto a de descida do clock para transferir dados, realizando efetivamente duas transferências por ciclo de clock. Isto efetivamente quase dobra a taxa de transferência sem aumentar a frequência do barramento externo.

DDR1
Até o final da década de 90, as memórias SDRAM trabalhavam com uma frequência de 133 MHz (as chamadas PC133). Por outro lado, somente com o Pentium 3 o clock externo de 133