analise de circuitos
Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica
Semicondutores
Díodo de junção PN
Análise de Circuitos com Díodos
Característica V-I
Modelos lineares por troços díodo ideal díodo ideal com fonte de tensão díodo ideal com fonte de tensão e resistência
Teresa Mendes de Almeida
Análise de circuitos com díodos
Circuitos lógicos
Circuitos limitadores
Díodo Zener
Circuitos rectificadores e detector de pico
Exemplos de aplicação
TeresaMAlmeida@ist.utl.pt
DEEC
Área Científica de Electrónica
© T.M.Almeida
ACElectrónica
IST-DEECAbril de 2011
3
Semicondutores
Dispositivos electrónicos modernos
© T.M.Almeida
tem propriedades eléctricas especiais mecanismo de circulação das cargas não pode ser explicado como nos condutores/isoladores não é um bom condutor de corrente eléctrica (como o Cu ou o Al) não é um isolante (como a borracha ou o plástico) capacidade de formar cristais com propriedades eléctricas especiais cada átomo partilha 4 electrões de valência com átomos vizinhos estrutura entrelaçada (ligações covalentes) muito estável → cristal corrente eléctrica: movimento de electrões e de lacunas
TCFE Análise de Circuitos com Díodos
TCFE Análise de Circuitos com Díodos
Abril de 2011
4
Intrínseco (puro) lacunas - criadas por electrões que se libertam das ligações covalentes nº de lacunas = nº electrões livres ni = pi
Exemplo (TA)
Si: ni = pi = 1,5× 1019 portadores/m3
Ge: ni = pi = 2,4× 1019 portadores/m3 condutor de Cu: ni = pi = 8,4 × 1028 portadores/m3
Material Semicondutor
IST-DEEC-ACElectrónica
IST-DEEC-ACElectrónica
Semicondutores
circuitos integrados, díodos, transístores produzidos com materiais semicondutores
Silício (Si)
← o mais utilizado
Germânio (Ge)
© T.M.Almeida
2
Matéria
Abril de 2011
Extrínseco (impuro) equilíbrio entre nº de portadores é deliberadamente alterado introduzidos átomos de impurezas no cristal (grupos III e V)
n × p = ni2 =