3 Trabalho De Qu Mica Geral

3º Trabalho de Química geral
FEIS UNESP – Química Geral

Exercício: Faça um resumo sobre as características dos semicondutores do tipo P e do tipo N.

Um semicondutor do tipo N é um semicondutor que foi dopado átomos penta valentes (5 elétrons na camada de valência). Quando os átomos da impureza se associam com os outros átomos um dos elétrons da camada de valência sobe para a banda de condução porque ele só precisa de quatro elétrons na camada de valência para estabelecer a ligação covalente.
Para cada elétron de impureza introduzido aparecerá um elétron livre.
Nesses semicondutores os elétrons livres são chamados de portadores majoritários (porque existem em maior quantidade) e as lacunas de portadores minoritários (porque existem em menor quantidade)
O silício por exemplo, quando dopado com átomos penta valentes transforma-se em um semicondutor do tipo N e passa a possuir uma grande quantidade de elétrons livres e algumas lacunas resultantes das quebras das ligações covalentes.
A sua condutividade elétrica agora é maior devido aos elétrons livres.

Representação das cargas em um semicondutor do tipo N

Representação de um semicondutor do tipo N

Um semicondutor tipo P é obtido através da injeção de átomos trivalentes no cristal puro Como um átomo trivalente possui três elétrons na camada de valência, uma lacuna será criada quando o mesmo for se associar com os átomos vizinhos através da ligação covalente. Para cada átomo de impureza, aparecera uma lacuna.
Um cristal dopado com átomos trivalentes é um semicondutor tipo P. Ele possui uma grande quantidade de lacunas e alguns elétrons livres produzidos termicamente, devido a quebra de ligações covalentes. Neste caso, as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres são os portadores minoritários.
Da mesma forma que os elétrons livres no semicondutor tipo N aumenta a condutividade do cristal, o aumento do número de lacunas no semicondutor tipo P também aumenta a condutividade do