Trabalhos De 4vs

160ohm + R3 20ohm + -14.909 V R2 80ohm + - + - -3.091 V 4.909 V + 0.093 A + V1 6V 0.061 A -0.155 A V3 12V V2 4V Aplicar o sentido das correntes em um dos nós e o sentido das correntes nas malhas I e malha II I1 I3 R1 R3 160ohm 20ohm I2 R2 80ohm Malha I V1 6V Malha II V2 4V V3 12V Com base no sentido das correntes dos ramais I1,I2 e I3, determinar o sentido das tensões nos ramais, sendo nas fontes…

de uma Fonte Regulada com saída variável Utilizando o CI LM723 Trabalho apresentado à disciplina Laboratório de Eletrônica Analógica II, do Instituto Politécnico da Pontifícia Universidade Católica de Minas Gerais. Orientador: Paulo José da Costa Cunha Belo Horizonte, Setembro de 2012 RESUMO Este relatório consiste em descrever o projeto teórico e montagem de uma fonte de alimentação regulada, com saída variável entre 4V e 12V, com uma corrente máxima de saída de 1A e…

figura a tensão VGS = - VZ = - 3V. a) VZq = - 3V. b) No ponto de constrição ⇒ VDS = VGS – VP = - 3 – (- 6) = 3V. c) A corrente 10 - 3 VDD -VDS IDq =  =  = 3,5mA. RD 2K 4.o Para o amplificador a seguir, são dados : IDSS = 10mA, VP = - 4V, RS = 680Ω, RD = 2KΩ, VDD = 12V, RG = 1MΩ. Pede-se : a) O valor de IDq e VGSq, solução pelo método gráfico. b) O valor de IDq e VGSq, solução pelo método algébrico. c) O valor de VDS. Pág. 6 Exercícios Prof. Luís Caldas RD…

PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM ENGENHARIA MECÂNICA Diogo Tubertini Maciel ESTUDO DOS PROCESSOS DE ROSCAMENTO POR LAMINAÇÃO E USINAGEM NA LIGA DE TITÂNIO TI-6AL-4V São João del-Rei, 2013 Diogo Tubertini Maciel ESTUDO DOS PROCESSOS DE ROSCAMENTO POR LAMINAÇÃO E USINAGEM NA LIGA DE TITÂNIO TI-6AL-4V Dissertação apresentada ao Curso de Mestrado da Universidade Federal de São João del-Rei como requisito para a obtenção do título de Mestre em Engenharia Mecânica Área…

AVALIAÇÕES TURMAS DIAS CONTEÚDO NP1 4R–4S–4T–5Z-4U-4V-5V 31 - MARÇO 1 – 2 – 3 -4 5P-5U-5R-5T 02 - ABRIL 4P-4Q-4X-5X-5Y-5Q-5S 03 - ABRIL NP2 4R–4S–4T–5Z-4U-4V-5V 26 - MAIO 5 - 6 5P-5U-5R-5T 28 - MAIO 4P-4Q-4X-5X-5Y-5Q-5S 29 - MAIO SUBSTITUTIVA 4R–4S–4T–5Z-4U-4V-5V 02 - JUNHO COMPATÍVEL COM NP1 E NP2 5P-5U-5R-5T 04 – JUNHO 4P-4Q-4X-5X-5Y-5Q-5S 05 - JUNHO EXAME 4R–4S–4T–5Z-4U-4V-5V 09 - JUNHO COMPATÍVEL COM NP1 E NP2…

época. O Cálculo abriu novas oportunidades na física-matemática de resolver problemas muito antigos que até então não haviam sido solucionados. O período simbólico: Nessa época, o cálculo foi abordado de uma forma muito mais rigorosa , com os trabalhos de Freg e Russell. Esta fase apresenta 3 tendências: logicismo, intuicionismo e o formalismo. O período simulatório: com o advento do computador, a matemática tem mostrado sua ampla aplicabilidade, através da criação de modelos…

saturado (na região ôhmica), V DS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. A tensão de saturação mais alta (4V) é igual à intensidade da tensão de corte da porta-fonte (V GS(Off) = -4V). Esta é uma propriedade inerente a todos os JFET’s. Para polarizar um transistor JFET é necessário saber a função do estágio, isto é, se o mesmo irá trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tensão. Como amplificador, a região de trabalho é o trecho da curva, na Figura 7-3,…

saturado (na região ôhmica), VDS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. A tensão de saturação mais alta (4V) é igual à intensidade da tensão de corte da portafonte (VGS(Off) = -4V). Esta é uma propriedade inerente a todos os JFET’s. Para polarizar um transistor JFET é necessário saber a função do estágio, isto é, se o mesmo irá trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tensão. Como amplificador, a região de trabalho é o trecho da curva, na , após a…

forma final. Os vidros metálicos são materiais relativamente novos no campo de biomateriais, mas eles exibem uma excelente combinação de propriedades e capacidade de ser conformado na sua forma final, o que é de grande interesse para implantes. Neste trabalho será apresentado algumas ligas com capacidade de formar vidros metálicos e suas propriedades mecânicas e de resistência à corrosão. Os vidros metálicos possuem uma grande flexibilidade química, de estrutura atômica e superfície,…

corrente IC variar na mesma proporção; Região de Corte – Onde não corrente na base (IB), não há corrente no coletor (IC); Região de Saturação – A corrente IC chega ao seu valor máximo e não mais pode aumentar; Área Útil – Região determinada para o trabalho do componente com segurança, determinada pela máxima potência suportada. Transistor Saturado IC(sat)= Vcc_ VCE=0V RC Transistor Cortado IC = 0 IB = 0 VCE = Vcc