Trabalho De Mosfet

Assunto do trabalho: Inversores Data da entrega do trabalho: 09/07/2011 INVERSOR MONOFÁSICO DE MEIA-PONTE Objetivo do trabalho: Simular um inversor de tensão (VSI) monofásico em meia-ponte, composto por duas baterias de 100 V e carga indutiva (R = 10 Ohms e L = 100mH). Simular utilizando a estratégia de chaveamento com onda quadrada e chaveamento PWM e compare os resultados obtidos. Pede-se: Formas de onda da tensão e corrente na carga para cada caso. THD da corrente e da

TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO.........................................29 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO...........................................30 JFET............................................................................................31 MOSFET.....................................................................................31 MONTAGENS........................................................................................................32…

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS BJT Bipolar Junction Transistor CA Corrente Alternada CC Corrente Contínua DAC Conversor Digital-Analógico GTO Gate Turn-Off IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor PWM Pulse Width Modulation RC Resistor-Capacitor TTL Transistor-Transistor Logic MR Master Reset LISTA DE FIGURAS Figura 1.1 – Estrutura básica do inversor trifásico de tensão [2] 15 Figura 1.2 – Inversor trifásico de…

melhor. Este tipo de transistor depende de um só tipo de carga, daí o nome unipolar. Há dois tipos básicos: os transistores de efeito de campo de junção (JFET - Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET). 7.1 JFET Na Figura 7-1, é mostrada a estrutura e símbolo de um transistor de efeito de campo de junção ou simplesmente JFET. a condução se dá pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o dreno (D), através do…

Material Instrucional especialmente elaborado pelo Prof. Edson Grisi para uso exclusivo do CETEB-CA. Curso: Eletroeletrônica Docente: Discente: Módulo: II Turno: Carga Horária: Turma: 3 APRESENTAÇÃO Este trabalho é apresentado de forma lógica e abrangente, sendo bastante acessível para o estudante que já possui conhecimentos básicos de Eletrônica e tem interesse em adquirir conhecimentos específicos de Eletrônica de Potência. A Eletrônica de Potência está se inserindo,…

Brushless Marc Lamas Fernandes Mestrado Integrado em Engenharia Eletrotécnica e de Computadores Orientador: Professor António José de Pina Martins Fevereiro de 2013 c Marc Lamas Fernandes, 2013 Resumo Serve este documento para retratar o estudo e trabalho desenvolvido com o objetivo de efetuar a modelação e controlo de um motor DC brushless com força contraeletromotriz sinusoidal. Na revisão da literatura são apresentados os conceitos fundamentais necessários para desenvolver o…

histórico e o de utilização mais corrente. No entanto, convém referir os transístores de efeito de campo (FET, “Field Effect Transistor”), nomeadamente, os transístores FET de junção unipolar, os transístores MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), e os CMOS (“complementary MOSFET”), os quais são muito usados na electrónica integrada de alta densidade. Simbolos transistores O material semicondutor mais usado no fabrico de transístores é o silício. Contudo, o…

mostrado na figura 1. Identificou-se o resistor de ajuste do ciclo de trabalho (Rx) da chave, que deve ser incialmente igual a 3,9 kΩ. Figura 1- Exemplo de figura no texto 2. Conectou-se os componentes do circuito de potência, sem ligar o conjunto formado pelo diodo D1 e resistor de 2,2 Ω. 3. Ajustou-se a FONTE AUXILIAR (fonte de comando) em 20 V, testando em seguida o circuito de comando, e verificando o sinal no gate G do MOSFET. Desenergisou-se o circuito de comando.…

transistor............................................................................................. 36 Figura 19 – Conexão Darlington entre dois transistores ....................................... 37 Figura 20 – Símbolo e curva característica de um MOSFET ................................ 37 Figura 21 – Símbolo e curva característica do IGBT ............................................ 38 Figura 22 – Símbolo e curva característica do SCR .............................................…

básico de uma porta CMOS é o transistor MOSFET (Metal-Oxid Semiconductor Field Effect Transistor): Figura 15: Símbolo gráfico dos dois tipos de transistores MOSFET: canal N e canal P. Operação como uma chave (switch) LIGA-DESLIGA (ON-OFF). Figura 16: Símbolo gráfico simplificado de um MOSFET, tendo sido abstraída a polaridade do canal. Nesta representação é assumido que a polaridade do canal é identificada pelo contexto do circuito do qual o MOSFET faz parte. 10 PUCRS…