Relatório de experiência com transistores

CARVALHO OZINILDA DO SOCORRO VIEIRA NACIF RAFAEL ANGELIN SILVA Relatório de experiência com transistores 5 1 INTRODUÇÃO O Transístor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V 0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transístor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a Corrente é produzida apenas por um único tipo de Portador de Cargas (Electrões ou Lacunas), no TJB (BJT) a Corrente é produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas (Electrões e Lacunas), daí a origem do nome Bipolar. Figura 1 - Transístor de Junção Bipolar Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regiões n separadas por uma Região p. O Tipo pnp consiste em duas Regiões p separadas por uma Região n. As Figuras 2 e 3 representam os seus respectivos símbolos esquemáticos. A explicação seguinte refere-se ao TJB (BJT) npn, que é utilizado nesta Demonstração. Figura 2 - Símbolo esquemático de um TJB, npn 6 Figura 3 - Símbolo esquemático de um TJB, pnp O transístor consiste em duas junções pn, a junção emissor-base (JEB) e a junção coletor-base (JCB, habitualmente designadas simplesmente junção de emissor e junção de coletor. Dependendo da condição de polarização (direta ou inversa) de cada uma das…

possível estudar o comportamento desse transistor a partir do circuito de polarização fixa e pelo circuito de polarização estável do emissor. Dessa forma, o experimento proporcionou uma melhor compreensão sobre a construção desse componente, seu funcionamento e utilização dentro da eletrônica. Palavras-chave: eletrônica; TBJ; circuitos. INTRODUÇÃO Um transistor bipolar de junção (BJT) é muito versátil. Ele pode ser usado de muitas maneiras, como um amplificador, um interruptor ou um…

ETEC “GETÚLIO VARGAS” CENTRO ESTADUAL DE EDUCAÇÃO TECNOLÓGICA PAULA SOUZA João Paulo de Oliveira Ramos José Josivan Marcelo Benício da Silva Wagner Herculano Pinto Washington Relatório Técnico-Científico sobre AMPLIFICADORES COM TRANSISTORES J-FET TIPO N São Paulo, 2013 João Paulo de Oliveira Ramos José Josivan Marcelo Benício da Silva Wagner Herculano Pinto Washington Relatório Técnico-Científico…

UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ CAMPUS CORNÉLIO PROCÓPIO CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA RAFAEL SAMOGIM PEREIRA WALISSON FELIPE DO CARMO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO OPERANDO COM CHAVE ELETRÔNICA PRÁTICA 04 CORNÉLIO PROCÓPIO 2014 RAFAEL SAMOGIM PEREIRA WALISSON FELIPE DO CARMO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO OPERANDO COM CHAVE ELETRÔNICA Relatório apresentado como requisito parcial à obtenção da nota final da disciplina de Eletrônica do curso de…

Relatório de Eletrônica I TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Araçatuba-SP 2012 SUMÁRIO SUMÁRIO 2 1 - INTRODUÇÃO 3 2 – OBJETIVOS 4 3 – MATERIAIS UTILIZADOS 4 4.1 – Levantamento de dados 5 5 – CONCLUSÃO 9 7 - BIBLIOGRAFIA 9 1 - INTRODUÇÃO O Transístor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A…

DO PARÁ CAMPUS TUCURUÍ FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA DISCIPLINA: LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA I PROFESSOR: EWERTON RAMOS GRANHEN EXPERIMENTO: POLARIZAÇÃO DO TBJ ALUNOS: DEIVISON BAIA 10134000218 IVANIL LIMA 09134001018 WESLEI RAMOS 10134004418 TUCURUÍ-PA 1- Resumo Este relatório visa apresentar o conhecimento adquirido em laboratório a respeito da polarização do TBJ - série BC238BP - NPN. 2- Introdução Neste relatório, o TBJ será considerado como uma…

um JFET de canal n, porém seu símbolo apresenta a seta em sentido contrário, e as correntes e tensões são consideradas invertidas em relação ao JFET de canal n. 3.1.1. Características FET Controle por Tensão: a corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, em contraste com o transistor BJT, cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de base. Alta Impedância de Entrada: para que seja possível o controle de corrente do canal n é necessário que se…

E ACIONAMENTOS ELÉTRICOS I RELATÓRIO DE AULA PRÁTICA: MOTOR DE PASSO Equipe: J V L Curitiba 2013 lista de ABREVIATURAS, SIGLAS E SÍMBOLOS A – AMPÈRE CA - Corrente Alternada BC – Base Comum CC - Corrente Contínua CC – Coletor Comum EC – Emissor Comum Gi – Ganho de corrente Gv – Ganho de tensão IB – Corrente de Base…

Fernandes Loiola nº: 40 Turma: 21 MT Junho/2015 SUMÁRIO 1. Introdução 2 2. Projeto Prático 2 2.1. Dados 2 2.2. Dados do BC547B 2 3. Polarização do transistor 3 3.1. Cálculos de 4 3.2. Cálculos de 4 4. Análise em corrente alternada 5 5. Parâmetros básicos do amplificador 6 5.1. Sinais AC vistos pelo transistor 7 6. Curva em resposta de frequência 9 7. Esquema Elétrico 12 8. Disposição dos componentes 13 9. Lay-out 13 1. Introdução Neste relatório…

Diodos comuns são feitas em função da corrente máxima que podem conduzir no sentido direto, abreviado por If( o f de forward=direto), e pelatensão máxima que podem suportar no sentido inverso, abreviada por Vr (reverse=Inverso) e ainda segundo códigos, da seguinte forma: 1N – Código americano (uma Junção); 1S – Código Japonês; AO = BA – Código europeu. O diodo reage à aplicação de tensão elétrica de forma descrita a seguir. SEM POLARIZAÇÃO Na ausência de uma tensão de polarização…