Junção Pn

terminais em 12V independentemente do aumento da tensão da fonte d) Impede que a tensão da fonte varie abaixo de 12V 42. Durante a polarização inversa de uma junção PN tem-se: a) Uma corrente elevada através da junção b) O alargamento da barreira c) A redução da resistência interna da junção d) Um deslocamento de lacunas no sentido da junção 43. Em um transistor: a) A base é que emite elétrons b) A base é que recebe elétrons c) O coletor é que doa cargas elétricas d) O…

os andamentos observados e comente o efeito da dopagem na condutividade. 3. Junção P-N Considere uma junção PN de Silício no equilibrio (V=0) a 300 K (tempo de vida dos portadores minotitários: 1 s) com os seguintes teores de dopagem: Lado P: Na= 91021 m-3 Lado N: Nd=21021 m-3 a) Calcule o potencial de contacto (V0) e a barreira de potencial (V0-V) da junção. Explique o que é o potencial de contacto de uma junção e qual a sua origem. Usando o Matlab trace o gráfico do potencial…

UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ CAMPUS CORNÉLIO PROCÓPIO CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA RAFAEL SAMOGIM PEREIRA WALISSON FELIPE DO CARMO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO OPERANDO COM CHAVE ELETRÔNICA PRÁTICA 04 CORNÉLIO PROCÓPIO 2014 RAFAEL SAMOGIM PEREIRA WALISSON FELIPE DO CARMO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO OPERANDO COM CHAVE ELETRÔNICA Relatório apresentado como requisito parcial à obtenção da nota final da disciplina de Eletrônica do curso de…

Golberi de Salvador Ferreira, Dr. 1 4. DIODO SEMICONDUTOR A união física de um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N forma uma junção PN, Figura 4.1. Esta junção PN recebe o nome de diodo semicondutor. Figura 4.1 – Diodo semicondutor Na formação da junção PN ocorre o processo de recombinação, no qual os elétrons do lado N mais próximos à junção migram para o lado P, Figura 4.2. Este processo ocorre até que haja o equilíbrio eletrônico e a estabilidade química, ou seja,…

Díodo Zener 1 Constituição Um díodo zener é constituído por uma junção PN de material semicondutor (silício ou germânio) e por dois terminais, o Ânodo (A) e o Cátodo (K). Símbolo: 2 Identificação visual dos terminais  O terminal que se encontra mais próximo do anel é o cátodo (K). K K Tensão de zener (UZ= 27 V) A K A A Tensão de zener (UZ= 8,2 V) 3 Utilização Se desejarmos alimentar uma carga qualquer com uma tensão invariável, perfeitamente isenta de qualquer variação…

..........................................................................................................7 Introdução: O diodo semicondutor é um componente largamente utilizado em eletrônica e é constituído de uma junção PN. O lado P da junção é conhecido como anodo ou positivo(A) do diodo e o lado N como catodo ou negativo (K). Comercialmente, os diodos são especificados por parâmetros que indicam suas características máximas de trabalho, tais como, corrente direta…

cristal tipo N, obtêm-se uma junção PN, que é um dispositivo de estado sólido simples: o diodo semicondutor de junção. Figura 5. Devido à repulsão mútua os elétrons livres do lado N espalham-se em todas as direções, alguns atravessam a junção e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o átomo associado torna-se carregado negativamente (um íon negativo). Figura 6. Cada vez que um elétron atravessa a junção ele cria um par…

de um cristal tipo P e um cristal tipo N, obtêm-se uma junção PN, que é um dispositivo de estado sólido simples: o diodo semicondutor de junção. Devido à repulsão mútua os elétrons livres do lado Nespalham-se em todas as direções, alguns atravessam a junção e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o átomo associado torna-se carregado negativamente (um íon negativo). Cada vez que um elétron atravessa a junção ele cria um par de íons. Os íons estão fixos na…

Eletrônica Básica Aula 01( 2 x Encontros)  Objetivos:  Ilustrar a evolução dos componentes eletrônicos;  Compreender sobre a estrutura atômica de semicondutores;  Conhecer a junção PN;  Tipos de polarização da junção PN;  Responder a exercícios sobre a introdução teórica dos assuntos; Um pouco de história...   Nossa história começa em 1879, quando Thomas Edison publica seu estudo sobre a lâmpada incandescente de bulbo; Ao aquecer o filamento interno ao bulbo no vácuo, o efeito Joule

componentes internos. O Transistor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB. No TJB a Corrente é produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas, daí a origem do nome Bipolar. Figura 1: transistor de Junção Bipolar Existem dois…