transistor

Transistor
Os transistores também são conhecidos como transistor de efeito de campo tanto em circuitos digitais ou analógicos. A palavra metal no nome tem origem aos primeiros chips onde as comportas eram de metal. Atualmente os chips utilizam as comportas de polissilício, mas ainda são chamados de mosfet. O mosfet é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET, onde geralmente o semicondutor é composto de silício, porém, poder ser encontrados de silício e germânio nos canais dos mosfets. O IGFET é um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante não óxido. O terminal de comporta é uma camada de polissilício (sílicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dióxido de silício isolante. Quando uma tensão é aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo elétrico gerado penetra através do óxido e cria uma espécie de "canal invertido" no canal original abaixo dele. O canal invertido é do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor através do qual a corrente elétrica possa passar. Variando-se a tensão entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possível se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. O transistor em corte esta quando a tensão da porta é idêntica a do substrato, o MOSFET está em estado de não condução: Nenhuma corrente flui entre fonte e dreno até que se aplique uma diferença de potencial entre ambos. Também se chama MOSFET aos isolados pela junção de dois componentes. Sua saturação acontece quando a tensão entre o dreno e fonte supera certo limite, o canal de condução baixo a porte sofre um estrangulamento ao redor do dreno e desaparece. A corrente entre fonte e dreno não se interrompe, já que é