Transistor

Objetivo Este experimento nos mostra as características do transistor TBJ, sendo sua região de corte, sua região de trabalho ou ativa e sua região de saturação.

Resumo O transistor estudado no experimento é do tipo NPN, com a referência do TBJ sendo BC548B, e de acordo com as leituras obtidas pelo multímetro, com as tensões aplicadas nos terminais do transistor, este se encontra na região de corte, com ambas as junções EMISSOR – BASE e COLETOR – BASE, estando polarizadas reversamente.

Introdução Teórica Foi aplicada uma tensão VBB no transistor variando entre -5V a 30V, e através dos resultados obtidos da tensão COLETOR – EMISSOR e também da corrente de coletor, nota-se que o transistor se encontra na região de corte.

Montagem Experimental Neste experimento foi utilizado um transistor do tipo NPN com referência BC548B, um multímetro, uma fonte de tensão variável e um potenciômetro.

Resultados Experimentais Os resultados obtidos no experimento encontram-se nas tabelas I e II da folha de experimentos.

Discussão Fazendo o experimento conforme foi pedido, variando a tensão VBB entre -5V a 30V, foi identificado que a tensão VCE variou entre 14,1mV a 12,4V e a corrente IC variou entre 0A a 0,235mA. Quando variamos VBB até a tensão de coletor atingir 6V a corrente de coletor não variou, mantendo um valor constante de 0,235mA.

Conclusão Ao final do experimento foi constatado que o transistor encontra-se na região de corte, pois ao variar a tensão VBB entre 3V a 30V o valor da corrente de coletor IC não