Transistor bjt

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

O transistor de junção bipolar (BJT)
E n p n
Colector

C

• Bipolar – dois tipos de cargas, electrões e buracos, envolvidos nos fluxos de corrente • Junção – duas junções pn. Junção base/emissor e junção base/colector

Emissor

B
Base

E

C p n p
Colector

• Tipos – tipos NPN e PNP. • Terminais – Base, Emissor e Colector

Emissor

B

• Símbolos -

Base

NPN
Base

Colector

PNP
Base

Emissor

Emissor

Colector

Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores

Luís Veríssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

Fluxos de corrente num transistor npn operando na ZAD

E n Injecção de electrões

C p n

Injecção de buracos

iE iC • A junção Emissor/Base é directamente iB B polarizada • A junção Base/Colector é inversamente polarizada VCB VBE • A espessura da região da base é tipicamente 150 vezes inferior à espessura do dispositivo. • E de portadores minoritários • A polarização directa da junção (buracos) da base para o emissor base/emissor causa um fluxo de portadores maioritários (electrões) da • A soma destes dois fluxos conduz à corrente de emissor IE. região n para a região p.

Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores

Luís Veríssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

Fluxos de corrente num transistor npn operando na ZAD
• O transistor é construído de tal forma que praticamente toda a corrente é constituída pelo fluxo de electrões do emissor para a base. A região do emissor é muito mais fortemente dopada do que a região da base. • A região da base é muito fina comparada com a espessura das regiões do emissor e do colector. Os electrões que fluem do emissor para a base, atravessam esta região e são atraídos para o colector,

E n Injecção de electrões

C p n

Injecção de buracos

iE

iB