Isso

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Estrutura do dispositivo e operação física

Fig. 5.1

Designação: transístor NPN

Estrutura simplificada de um BJT (três regiões semicondutoras)

Designação: transístor PNP
Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores

Fig. 5.2
ELECTRÓNICA I
1

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Constituição: Dispositivo com três terminais emissor, base e colector

2 junções: junção emissor-base (EBJ) e junção colector-base (CBJ) • Dependendo da polarização de cada uma das juncões, diferentes modos de operação podem ser obtidos – modo de corte, modo activo e modo de saturação

corte Activo Saturação

inversa directa directa

inversa inversa directa

Modo activo, também designado modo activo directo, é usado se o transístor operar como amplificador. Modo de corte e modo de saturação: Aplicações que envolvam comutação. Ambos os tipos de portadores (electrões e lacunas) participam no processo de condução num transístor bipolar, daí o nome bipolar.
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ELECTRÓNICA I

2

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Operação de um transístor NPN no modo activo

Fig. 5.3

Duas fontes de tensão externas são usadas para estabelecer as condições de polarização para funcionamento no modo activo: EBJ é directamente polarizada e a CBJ é inversamente polarizada.
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ELECTRÓNICA I

3

TRANSÍSTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Operação de um transístor NPN no modo activo (Cont.)
Junção Emissor- Base Junção Colector- Base

Altamente dopada

Camada mais fina e menos dopada

Menos dopada que o Emissor e mais dopada que a Base

Altamente dopado

Camada mais fina e menos dopada

Menos dopado que o Emissor e mais dopado que a Base

Fluxo de corrente (apenas componentes de corrente por difusão são consideradas) – A Polarização directa da EBJ origina fluxo de corrente através da junção: Consiste em duas